セミコンポータル: プロセス

1チップMEMS CMOS ICのクロック発生器をSiLabsが製品化

2013年7月 3日｜技術分析（半導体製品）

Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを製品化した。MEMSラストのプロセスで製造、振動子としてSiGe薄膜を用いたことでSiよりも機械的強度が強く、急冷･急熱や衝撃にも強いため、±20ppmの周波数安定性を10年間保証する。 [→続きを読む]

モバイル端末にけん引され、半導体・FPDとも日本製製造装置は好調

2013年6月25日｜市場分析

SEAJ（日本半導体製造装置協会）が発表した、2013年5月における日本製半導体製造装置の1.17というB/Bレシオ（販売額に対する受注額の比）は、受注額が増え続けている好調さをよく表している。昨年10月を底として、受注額は伸び続け、5月には1年ぶりに1000億円の大台に乗った。 [→続きを読む]

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

2013年6月19日｜技術分析（プロセス）

Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]

日本の半導体製造装置メーカー、世界でも顧客満足度依然として高い

2013年6月17日｜週間ニュース分析

日本の半導体製造装置メーカーは世界市場で依然、健闘している。VLSI Researchが行った半導体製造・検査装置大手の顧客満足度調査では、日本企業が上位10社中6社を占めている、と6月17日の日経産業新聞が伝えた。先週は、設備関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新市場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→続きを読む]

10nmプロセスでIBMと協業するUMC、微細化で製造競争力を強化

2013年6月14日｜産業分析

UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの技術開発アライアンス（Technology Development Alliances）グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス技術を開発する。 [→続きを読む]

2013年の世界の半導体設備投資は2%増だが、14年は23%増以上、SEMI予測

2013年6月14日｜市場分析

2013年の半導体設備投資総額は対前年比2%増の325億ドルになりそうだ、という予測をSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導体LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も対象としている。 [→続きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、全ビット動作確認

2013年6月12日｜技術分析（デバイス設計& FPD）

NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）とLEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→続きを読む]

UMC、日本のIDMにはカスタマイズで対応

2013年6月11日｜経営者に聞く

P. W. Yen氏、台湾UMC社 CEO 台湾第2位のファウンドリ企業であるUMC。2012年の世界のファウンドリ企業においてはそれまでの第2位から4位に退いた。今年は巻き返しを図る。来日したCEO（最高経営責任者）のP. W. Yen氏にその狙いを聞いた。 [→続きを読む]

EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（3）～レジスト

2013年5月31日｜会議報告（プレビュー）

フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]