サムスン、3次元NANDを64個搭載したSSDを量産開始

図1　サムスンの960GバイトのSSD　出典：Samsung Electronics

このSSDは、960Gバイトと480Gバイトの2種類ある。960Gバイト品には3次元NANDチップを64個搭載している。シーケンシャル書き込みとランダム書き込みの速度は20%速いという。SSDには6GbpsのSATAインタフェースコントローラを内蔵している。1チップのメモリ容量は128Gビット。64個使うことで、1Tバイトに近い960Gバイトを実現している。SSDは2.5インチ相当のサイズで、10cm×7cm×厚さ7mmという大きさだ。プログラムの書き換え回数は3万5000回。

この3次元NANDフラッシュを3D V-NANDフラッシュと呼び、セルには多ビット/セル（MLC）構造を使う。製造生産性が20nm台のプレーナNANDと比べ、2倍に上がったとしている。この3次元メモリは、24段のセル層を積み上げ、表面からの深さが24種類異なる円筒形トレンチでセルをつないでいる。セル自身は従来の浮遊ゲート方式ではなく、窒化膜を利用した電荷トラップ方式を採用している。

サムスンはデジタルビッグバンだと述べており、東芝の3次元NANDとは一歩先んじていると思われる。このSSDをデータセンターからパソコンまで適用し、顧客の要求に応えていくという。今月から量産を開始したとサムスンは述べている。

参考資料
1. サムスン、3次元縦構造NANDフラッシュの量産開始を発表 (2013/08/12)