コンピューティング
Texas Instrumentsは、これからの10Gbps EtherCATをはじめとする産業用高速ネットワーク向けの通信プロトコルやリアルタイム制御、モータの精密制御、装置間の同期をとりレイテンシの少ない応用に向けた高性能マイコン「Sitara AM243xシリーズ」を開発した(図1)。Industry 4.0やTSN、ローカル5Gなどこれからの工業用装置間でのデータ処理を狙う。
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中国におけるAIチップのスタートアップが続出、フランスもAIチップを加速する。昨今の半導体不足はDRAMにも及ぶ。DRAMは今後、CPUやAIチップともセットで使われる。Samsungの簡単な売り上げと営業利益だけが発表され、6月30日のMicronの発表と併せ、再びDRAMはカルテル的な様相を見せ始めた。
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10万ゲートの中規模FPGAながら、パッケージ面積が81mm2しかない製品「CertusPro-NX」をLattice Semiconductorがサンプル出荷を開始した。Samsungの28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)プロセスを使っているため、SRAMベースのFPGAながらソフトエラー率が1/100 FITとかなり小さい。
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これからのプロセッサはドメインコントローラという専用プロセッサが進展しそうだ。VLSI Technology and Circuitsの基調講演で、AMDのCTO兼Technology & Engineering担当VPのMark Papermaster氏は、カスタムコンピュータ技術の時代が来るとして、ハードウエアもソフトウエアも一緒に最適化するコンピュータ技術が重要になる、と述べた。
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米ニューヨーク州アルバニーにおけるIBM研究所が2nmデザインのナノシート技術を使ったトランジスタを開発、このトランジスタを500億個集積したICテストチップを300mmウェーハ上に試作した(図1)。IBMは、PowerアーキテクチャのCPUを独自に開発しているが、今年後半に7nmプロセスのPower10をリリースするため、2nmチップが登場するのは2025年以降になりそうと見られている。
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ウェーハスケールAIチップ開発のCerebras Systemsは、第2世代のウェーハスケールAIチップを開発した。最初のチップが16nmプロセスで製造されていたが、今回は7nmプロセスで作られており、総トランジスタ数は前回の1兆2000億トランジスタに対して2.6兆トランジスタとほぼ2倍になっている。その分チップ上の性能特性も2倍以上になっている。
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世界的な半導体不足が報じられ、早くも各社が新工場の建設に動き出した。台湾の南亜科技は台湾北の新北市にあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場の稼働を6月に始める。Intelはファウンドリ事業の潜在顧客が50社いるとCEOのPat Gelsinger氏が21年第1四半期決算報告で述べた。
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Siemens EDA(旧Mentor Graphics)は、LSI設計をハードウエアレベルで検証するエミュレータVeloce(ベローチェと発音)の次世代版の検証システムを発表した。今回の検証システムでは、ハードウエアマシンだけではなく、協調設計で必要な仮想プラットフォームでのソフトウエア検証ツールVeloce HYCONを含め4製品を用意した。
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