VLSI Symposiumの採択論文から見えてくる日本半導体の進むべき道
2012 Symposium on VLSI Technology および Circuitsが6月12〜15日、米国ハワイ州ホノルルで開催される。先日、この通称「VLSI Symposium」に関する記者会見が開かれた。学術発表会への記者会見が最近は珍しくなくなってきた。 [→続きを読む]
ブログ
スマホなどモバイル機器が織り成す半導体業界hot spots模様
世界的に熱く活発なスマートフォン、タブレットはじめモバイル機器に関連する半導体需要が追いつかず、生産枠を先行して取り込んで確保していく鬩ぎ合いの状況が見られているようである。中軸半導体を供給する半導体メーカーが急伸長を示すとともに、ファブレスとファウンドリーの関係が上記の取り合い状況を反映して構造のシフトを呈していると言われている。昨年を上回ってまたまた史上最高を更新するかどうかの本年の世界半導体販売高は、このモバイル機器のhot spots模様の広がり、濃さにかかっている。 [→続きを読む]
スティーブ・ジョブズ氏がアドバイスを求めた日本人
ヒッピーのような姿をした一人の外国人が東京のJR市ヶ谷駅前にあるシャープ東京支社（現東京市ヶ谷ビル）へ入って行った。背広姿を見慣れている受付嬢は一瞬驚いたが、笑顔を作って要件を聞くと「ドクターササキに会いたい」という。ドクターササキとは、当時シャープの副社長で東京支社長の佐々木正博士（注1）であることはすぐにわかった。 [→続きを読む]
Obama大統領のニューヨーク州made-in-America半導体視察ズームアップ
インテルの三次元トランジスタ、TSMCの28-nmファウンドリーcapacityはじめ最先端の半導体技術およびビジネス対応の動きに注目するなか、米国に製造jobsの回帰を図ろうというmade-in-America活動の一環で、Obama大統領が同国ニューヨーク州の最先端半導体関連地域、「テックバレー」の視察を行っている。今や全産業に行き渡ってその規模や広がりに大きく影響する最先端半導体の動向および技術の確立具合であり、米国半導体業界の意気込みを感じるとともに彼方の話に分け入っていかなければとの思いである。 [→続きを読む]
産総研が最先端トランジスタ技術を開発する意味について考える
つくばの産業技術総合研究所で開かれているINC8に出席した。初日はTIA（つくばイノベーションアリーナ）の紹介や、産総研の研究開発状況などを聞いた。東芝を除く日本の半導体企業が45nmプロセス以降の開発を止めている状況の下で、産総研による化合物半導体オンシリコンやトンネリングFET、3次元メモリなどの発表を見ていて考えてしまった。 [→続きを読む]
伸び基調が見える3月の世界半導体販売高、一方、目まぐるしい動き
米SIAから発表された3月の世界半導体販売高は、前年同月比では7.9%減と及ばないものの前月比では1.5%増と小幅ながらも全市場地域がプラスとなっている。半導体各社の業績発表も、マイナスサイクルの底は打ったとする見方がいくつかまとまって出ており、今後への期待感が表われている。一方、エルピーダ支援の方向性が見えてきているとともに、Nokiaが長年維持した携帯電話首位の座をSamsungに譲っており、従来の日欧の大手には特に目まぐるしい動きとなっている現時点である。 [→続きを読む]
シェールガス登場で新エネルギートーンダウン〜グリーン政策の新局面を読め
政府は今さらというべきか、遅すぎるというべきか、太陽電池、風力発電などの再生可能新エネルギーの買い取り価格を決め、需要促進を喚起するなどと言っている。 [→続きを読む]
最先端半導体プロセス開発&事業化、丁々発止の最前線
三次元トランジスタ、fin-FET、tri-gate技術といろいろ称されるキーワードをもつ新型トランジスタに成るインテルの22-nm製造プロセス技術プロセッサ、Ivy Bridgeが発表されている。前回はスマートフォン、タブレットの市場需要にTSMCはじめ28-nmノード生産が追いつかない事態を取り上げたが、このような最先端プロセスの事業化についてインテルとTSMCの間のジャブ応酬が垣間見える様相である。最先端の先鞭はつけている我が国であるが、肝心のビジネス収穫期でのプレゼンス、あり方がはたまた課題である。 [→続きを読む]
プロセスドライバ半導体製品が変わってきた
GlobalPress Connections社主催のe-Summit 2012に出席するため米西海岸に来た。ここで世界中の記者やメーカーの人たちとディスカッションしていると、真実が見えてくることが多いが、今回もやはり一つの大きな流れ（トレンド）を知ることができた。今回はTSMCが28nmラインを止めている、という欧米メディアの真偽についてディスカッションした。 [→続きを読む]
450mmウェーハ実用化への挑戦
世界で先頭を走りつつ超LSI製造事業に挑戦する企業は、2015年頃にはTSVによって3D積層構造なども採用すると筆者は考える。設計ノードが10nm台に到るにはEUVが実用化されなければ、道は険しいがEUVはどうなるか？寄生容量を減らす技術手段からは、SOIも考慮されるだろう。これらの路線の大きな問題は高コストに陥ることだ。このためコストダウンできる要因も開発プログラムに加えなければならない。 [→続きを読む]
<<前のページ 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 次のページ »
