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SiPパッケージや、MCPパッケージなど、半導体チップを薄く削り、何枚も重ねるような応用が盛んになってきているが、削るべきウェーハは200mmから300mmへと口径が大きくなり割れやすくなっている。そのような中、20μmと極端に薄い300mmウェーハを楽々と持ち運べるようなピンセットならぬウェーハホルダーが登場した。山梨県南アルプス市に本社を置くハーモテック社は、ウェーハを非接触で持ち上げる吸引式のホルダーを開発、反響を呼んでいる。 [→続きを読む]
カナダのGennum社が米国ラスベガスで開かれたInternational CESにおいて、100mの銅線を使い、HDMI（high definition multimedia interface）1.3規格に基づいたビデオのリアルタイム伝送をデモンストレーションしたと発表した。この技術はActiveConnectと同社は呼び、光ファイバよりも安価にビデオ伝送システムを設計できることが特長である。この技術は、HDMI 1.3規格で伝送レート10.2Gビット/秒、DisplayPort規格で10.8Gビット/秒をサポートする。 [→続きを読む]
MP-3プレーヤーのイヤホンコード（線）を邪魔くさいと思われる方には福音になる。もしワイヤレスでヘッドフォンとMP-3プレーヤーを接続できたら、通勤電車はもっと快適になるだろう。英CSR社の新製品BlueCore5-Multimediaチップを使えば、Bluetoothで、MP-3プレーヤーとヘッドフォンをワイヤレスでつなぐことができる。 [→続きを読む]
半導体MIRAIプロジェクトは直径160nmと微細なビアにカーボンナノチューブ（CNT）を形成することに成功した。450℃の熱CVDで形成したビア抵抗は34Ω、400℃だと63Ωとこれまで最も低いという。 [→続きを読む]
65nmロジックプロセス（ハーフピッチでは90nmプロセスに相当するプロセスノードhp90）で100万個のnチャンネル/pチャンネルMOSトランジスタアレイ（両方で200万個）を作り、ゲートしきい電圧Vthのばらつきの原因を突き止めた、と半導体MIRAIプロジェクトが、12月18日茨城県つくば市で開かれた2007年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会で発表した。pチャンネルMOSのばらつきは不純物の揺らぎにより、nチャンネルMOSは不純物の揺らぎと別の要因が加わっているとしている。 [→続きを読む]
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと呼ぶ周辺LSI「Antioch」を米Cypress Semiconductor社が昨年発売したが、このほど携帯機器への組み込みシステムを意識し、多ビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを強化した周辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→続きを読む]
米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→続きを読む]
Credence Systems社は、オーディオとビデオ回路を搭載したLSI向けのテスター用モジュールMultiWaveインスツルメントを製品化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ回路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと測定テストプラットフォームを展示した。 [→続きを読む]
炭素原子がサッカーボール状に構成されているフラーレンC60が、半導体プロセスに威力を発揮しそうになってきた。三菱商事、三菱化学などが出資するフロンティアカーボン社は、フラーレンを添加した電子ビームレジストがパターンを加工できることを実証した。 [→続きを読む]
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。 [→続きを読む]
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