» セミコンポータルによる分析 » 技術分析
65nmロジックプロセス（ハーフピッチでは90nmプロセスに相当するプロセスノードhp90）で100万個のnチャンネル/pチャンネルMOSトランジスタアレイ（両方で200万個）を作り、ゲートしきい電圧Vthのばらつきの原因を突き止めた、と半導体MIRAIプロジェクトが、12月18日茨城県つくば市で開かれた2007年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会で発表した。pチャンネルMOSのばらつきは不純物の揺らぎにより、nチャンネルMOSは不純物の揺らぎと別の要因が加わっているとしている。 [→続きを読む]
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと呼ぶ周辺LSI「Antioch」を米Cypress Semiconductor社が昨年発売したが、このほど携帯機器への組み込みシステムを意識し、多ビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを強化した周辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→続きを読む]
米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→続きを読む]
Credence Systems社は、オーディオとビデオ回路を搭載したLSI向けのテスター用モジュールMultiWaveインスツルメントを製品化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ回路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと測定テストプラットフォームを展示した。 [→続きを読む]
炭素原子がサッカーボール状に構成されているフラーレンC60が、半導体プロセスに威力を発揮しそうになってきた。三菱商事、三菱化学などが出資するフロンティアカーボン社は、フラーレンを添加した電子ビームレジストがパターンを加工できることを実証した。 [→続きを読む]
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。 [→続きを読む]
ALD(原子層堆積)技術の応用が大量生産のDRAMから少量生産のロジックへと広がりつつある。米Aviza Technology社は、国内大手ロジックメーカーからCelsior FXP枚様式のALD装置を受注したと発表した。セミコンジャパン2007で、その詳細を明らかにした。 [→続きを読む]
セミコンジャパン2008では2005年以来のITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）を見直し、最新状況について報告した。従来のような微細化の年次推移をロードマップとして報告するだけではなく、今年は最近言われている、More MooreとMore than Mooreを定義したことがこれまでとは大きく違う。 [→続きを読む]
ギガビットEthernetのチップがネットワーク半導体企業から出てきているが、大容量のデータをネットワーク間で転送するためのチップの製品化が活発になっている。このほど10GビットEthernet用のチップセットを米Solarflare Communications社が、ROC（ルーターオンチップ）と呼ぶ1GビットEthernetに必要な機能をほぼ搭載したSoCチップを米Vitesse Semiconductor社が、それぞれ製品化した。 [→続きを読む]
1層のビア配線のマスクパターンだけを電子ビームの直接描画によりマスクレスでパターンを描くことを特長としてきた米国ファブレスeASIC社の短納期性と、Tensilica社Diamondファミリのコアの小さな面積を特長とする32ビットプロセッサを組み合わせることで、組み込みシステム設計者はDiamondベースのSoCをわずか4週間で製造できるようになる。 [→続きを読む]
<<前のページ 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 次のページ »
