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加速電圧の広いイオン注入装置をAxcelisが開発

加速電圧の広いイオン注入装置をAxcelisが開発

米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→続きを読む]

Credence社がオーディオ/ビデオ共存回路のテスターモジュールを製品化

Credence社がオーディオ/ビデオ共存回路のテスターモジュールを製品化

Credence Systems社は、オーディオとビデオ回路を搭載したLSI向けのテスター用モジュールMultiWaveインスツルメントを製品化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ回路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと測定テストプラットフォームを展示した。 [→続きを読む]

Mears社の超格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低減

Mears社の超格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低減

シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。 [→続きを読む]

ITRSロードマップでMore Moore、More than Mooreを定義

ITRSロードマップでMore Moore、More than Mooreを定義

セミコンジャパン2008では2005年以来のITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)を見直し、最新状況について報告した。従来のような微細化の年次推移をロードマップとして報告するだけではなく、今年は最近言われている、More MooreとMore than Mooreを定義したことがこれまでとは大きく違う。 [→続きを読む]

ギガビットEthernet向け最新チップが相次いで登場

ギガビットEthernet向け最新チップが相次いで登場

ギガビットEthernetのチップがネットワーク半導体企業から出てきているが、大容量のデータをネットワーク間で転送するためのチップの製品化が活発になっている。このほど10GビットEthernet用のチップセットを米Solarflare Communications社が、ROC(ルーターオンチップ)と呼ぶ1GビットEthernetに必要な機能をほぼ搭載したSoCチップを米Vitesse Semiconductor社が、それぞれ製品化した。 [→続きを読む]

EB直描のeASICがTensilicaのプロセッサコアでSoCへ進出

EB直描のeASICがTensilicaのプロセッサコアでSoCへ進出

1層のビア配線のマスクパターンだけを電子ビームの直接描画によりマスクレスでパターンを描くことを特長としてきた米国ファブレスeASIC社の短納期性と、Tensilica社Diamondファミリのコアの小さな面積を特長とする32ビットプロセッサを組み合わせることで、組み込みシステム設計者はDiamondベースのSoCをわずか4週間で製造できるようになる。 [→続きを読む]

Xilinxが32ビットプロセッサの開発システムをIPまで含めて一式サポート

Xilinxが32ビットプロセッサの開発システムをIPまで含めて一式サポート

プログラマブルロジックデバイスのトップメーカーである米Xilinx社は、32ビットマイクロプロセッサMicroBlaze、32/64/128ビットのローカルバスを含めた設計ツールとOSサポートまでも包含する32ビットプロセッサの開発システム一式を発表した。これまでFPGAを中心に製品を出してきたXilinxにとって、これからの組み込みシステムではプロセッサを抜きにシステムを作れないことがはっきりしてきたため。 [→続きを読む]

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