東芝、NANDフラッシュ向け設備投資を積極的に継続
東芝が積極的な設備投資を継続していくことを、取締役 代表執行役社長の西田厚聰氏が1月8日に開かれた新年のJEITA（電子情報技術産業協会）賀詞交換会で改めて強調した。フラッシュメモリーの価格が毎年30%程度下がっていくことを前提に微細化によりNANDフラッシュメモリーのチップ面積を小さくし、低価格化に対応しようという姿勢を打ち出したものである。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
BluetoothワイヤレスヘッドフォンでMP-3プレーヤーの音楽を聞く
MP-3プレーヤーのイヤホンコード（線）を邪魔くさいと思われる方には福音になる。もしワイヤレスでヘッドフォンとMP-3プレーヤーを接続できたら、通勤電車はもっと快適になるだろう。英CSR社の新製品BlueCore5-Multimediaチップを使えば、Bluetoothで、MP-3プレーヤーとヘッドフォンをワイヤレスでつなぐことができる。 [→続きを読む]
マイコンメーカーの中国市場への取組状況
中国におけるMCU（マイコン）市場では、マイコンメーカーが32 ビットマイコン製品の市場投入を始めており、一番需要の多い8 ビットマイコンの使用方法を家電メーカーやIT メーカーに教え、市場が拡大している。ここでは、主要マイコンメーカーの中国市場への取り組みを紹介する。 [→続きを読む]
製造装置のB/Bレシオは底を打ったか
SEAJ（日本半導体製造装置協会）がまとめた11月の日本製半導体製造装置のB/Bレシオ（出荷額に対する受注額の比で、1.0以上を受注が多い）を21日のニュースで発表したが、その詳細なデータがSEAJから明らかになった。受注額そのものは、この3ヵ月で着実に上向いており、この数字と傾向を見る限り底を脱したと言い切ってもよいのではないだろうか。 [→続きを読む]
160nm径のビアに低抵抗のカーボンナノチューブをMIRAIが形成
半導体MIRAIプロジェクトは直径160nmと微細なビアにカーボンナノチューブ（CNT）を形成することに成功した。450℃の熱CVDで形成したビア抵抗は34Ω、400℃だと63Ωとこれまで最も低いという。 [→続きを読む]
製造装置のB/Bレシオ、連続上昇するも1.0をまだ超えず
日本製半導体製造装置のB/Bレシオが下げ止まったことを、11月29日のマーケット情報でレポートしたが、その読みはほぼ現実的になってきた。SEAJ（日本半導体製造装置協会）が発表した11月のB/Bレシオ（出荷額に対する受注額の比）は速報値ではあるが、0.87と先月の0.78よりも上昇した。 [→続きを読む]
nMOSトランジスタのばらつきは不純物だけでは決まらない
65nmロジックプロセス（ハーフピッチでは90nmプロセスに相当するプロセスノードhp90）で100万個のnチャンネル/pチャンネルMOSトランジスタアレイ（両方で200万個）を作り、ゲートしきい電圧Vthのばらつきの原因を突き止めた、と半導体MIRAIプロジェクトが、12月18日茨城県つくば市で開かれた2007年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会で発表した。pチャンネルMOSのばらつきは不純物の揺らぎにより、nチャンネルMOSは不純物の揺らぎと別の要因が加わっているとしている。 [→続きを読む]
アナログ一筋26年、差別化商品で高収益を謳歌するリニアテクノロジー
Lothar Maier、米Linear Technology社 CEO 昨年、米ビジネスウィーク誌が高収益のハイテク企業のトップテンを発表したが、売り上げに対する利益（経常利益）の割合、利益率が40％を超え、トップ5社にランキングされたリニアテクノロジー。その下にマイクロソフトやヤフーなどがランクされていた。リニアテクノロジーは2007年度売り上げがほぼ横ばいと伸びなかったのにもかかわらず、利益率はきっちり守っている。常に40%前後の純利益率であり40-50%の経常利益率を保持する。その秘密は何か。他社との違いは何か。ほかの半導体ビジネスモデルとは何が違うのか。ローサー･マイヤーCEOに聞いた。 [→続きを読む]
NANDフラッシュを16個管理する携帯機器向け周辺チップをCypressが開発
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと呼ぶ周辺LSI「Antioch」を米Cypress Semiconductor社が昨年発売したが、このほど携帯機器への組み込みシステムを意識し、多ビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを強化した周辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→続きを読む]
加速電圧の広いイオン注入装置をAxcelisが開発
米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→続きを読む]
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