65nmロジックプロセス（ハーフピッチでは90nmプロセスに相当するプロセスノードhp90）で100万個のnチャンネル/pチャンネルMOSトランジスタアレイ（両方で200万個）を作り、ゲートしきい電圧Vthのばらつきの原因を突き止めた、と半導体MIRAIプロジェクトが、12月18日茨城県つくば市で開かれた2007年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会で発表した。pチャンネルMOSのばらつきは不純物の揺らぎにより、nチャンネルMOSは不純物の揺らぎと別の要因が加わっているとしている。 [→続きを読む]
Lothar Maier、米Linear Technology社 CEO 昨年、米ビジネスウィーク誌が高収益のハイテク企業のトップテンを発表したが、売り上げに対する利益（経常利益）の割合、利益率が40％を超え、トップ5社にランキングされたリニアテクノロジー。その下にマイクロソフトやヤフーなどがランクされていた。リニアテクノロジーは2007年度売り上げがほぼ横ばいと伸びなかったのにもかかわらず、利益率はきっちり守っている。常に40%前後の純利益率であり40-50%の経常利益率を保持する。その秘密は何か。他社との違いは何か。ほかの半導体ビジネスモデルとは何が違うのか。ローサー･マイヤーCEOに聞いた。 [→続きを読む]
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと呼ぶ周辺LSI「Antioch」を米Cypress Semiconductor社が昨年発売したが、このほど携帯機器への組み込みシステムを意識し、多ビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを強化した周辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→続きを読む]
米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→続きを読む]
Credence Systems社は、オーディオとビデオ回路を搭載したLSI向けのテスター用モジュールMultiWaveインスツルメントを製品化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ回路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと測定テストプラットフォームを展示した。 [→続きを読む]
炭素原子がサッカーボール状に構成されているフラーレンC60が、半導体プロセスに威力を発揮しそうになってきた。三菱商事、三菱化学などが出資するフロンティアカーボン社は、フラーレンを添加した電子ビームレジストがパターンを加工できることを実証した。 [→続きを読む]
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。 [→続きを読む]
米国の半導体コンソシアムSEMATECHの関連会社の一つで試作ファウンドリのATDF社と、Cypress Semiconductor 社から2007年3月にスピンオフして独立した試作ファウンドリになったSVTC Technologies社が合弁し、一つの大きな試作専門ファウンドリ企業を形成することになった。 [→続きを読む]
ALD(原子層堆積)技術の応用が大量生産のDRAMから少量生産のロジックへと広がりつつある。米Aviza Technology社は、国内大手ロジックメーカーからCelsior FXP枚様式のALD装置を受注したと発表した。セミコンジャパン2007で、その詳細を明らかにした。 [→続きを読む]
セミコンジャパン2008では2005年以来のITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）を見直し、最新状況について報告した。従来のような微細化の年次推移をロードマップとして報告するだけではなく、今年は最近言われている、More MooreとMore than Mooreを定義したことがこれまでとは大きく違う。 [→続きを読む]
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