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最先端プロセス以外のウェーハも大きく減りはしない

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SICAS(世界半導体生産キャパシティ統計)の2007年第4四半期におけるシリコンウェーハの生産能力について発表された。第4四半期におけるMOSウェーハは対前年同期比14.0%伸びた。設計ルールで見ると、大きく伸びたプロセスは0.12μm未満のウェーハであり、48.7%と大きく伸びた。

μm別のMOS生産能力


ほかの設計ルールのウェーハはわずかではあるが減少している。0.12μm未満のウェーハは対前年同期比で91.4%、と-8.6%減少したが1年前は対前年同期比99.1%とほぼ横ばい。つまり、微細化したウェーハは急速に伸びているが、微細化していないウェーハは少しずつ減少している。

ただし、決してなくなるわけではない。例えば0.7μmよりも大きな設計ルールのウェーハは2006年第4四半期で対前年同期比98.2%だったが、2007年第4四半期では同87.2%と大きく落ちた。しかし、上のグラフを見る限り、0.12μm未満のウェーハが伸びていく勢いにゲタをはいた格好でそれ以外の設計ルールのウェーハも一緒に出荷されている。

ウェーハのサイズごとの統計でも同様な傾向は見られる。300mm(12インチ)ウェーハの伸び率は大きいが、だからといって200mmウェーハや200mm未満のウェーハがなくなるわけではない。200mmウェーハは2007年第4四半期に対前年同期比で-8.8%と減少したが、200mm未満のウェーハは逆に+61%増と増えている。


ウェーハサイズ別のMOS生産能力


結局、ウェーハサイズ別に見ても300mmウェーハ枚数は増加傾向にあり、それ以外の大きさのウェーハもゲタをはいた形になり、ウェーハ全体の伸びに寄与している。

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