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セミコンポータルによる分析

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日立製作所、加速電圧1.2MVの超高圧透過型電子顕微鏡を公開

日立製作所、加速電圧1.2MVの超高圧透過型電子顕微鏡を公開

日立製作所は、分解能が43pm(ピコメートル)と極めて高い透過型電子顕微鏡(TEM)を開発、このほどメディアに公開した(図1)。このTEMの加速電圧は1.2MV(120万ボルト)と非常に高圧で、そのため分解能が上がり、従来より厚い試料も観察できるようになった。 [→続きを読む]

曲面フレキシブル技術が相次ぎ、海外とのコラボも盛んに

曲面フレキシブル技術が相次ぎ、海外とのコラボも盛んに

先週、プリンテッドエレクトロニクス展/ファインテックジャパン/フォトニクスジャパンなどの材料関係の総合展示会があったせいか、フレキシブルパネルの発表が相次いだ。Samsung製の曲面の有機ELを使ったスマートフォンや、凸版印刷の曲面タッチパネルなどが発表された。海外企業との共同開発の発表も相次いだ。 [→続きを読む]

2014年クルマ用半導体ランキングから2015年の順位を展望する

2014年クルマ用半導体ランキングから2015年の順位を展望する

2014年版のクルマ用半導体ランキングが発表された。ほぼ同時にNXP SemiconductorsとFreescale Semiconductorの合併により、クルマ用半導体のランキングは2015年にはおそらく1位がNXP/Freescale組、2位がルネサスエレクトロニクスになろう。International Rectifierを合併した3位のInfineon Technologiesも急追する。 [→続きを読む]

SPIフォーラム「3次元実装への道」が示した3D-ICの現実解

SPIフォーラム「3次元実装への道」が示した3D-ICの現実解

セミコンポータル主催のSPIフォーラム「3次元実装への道」が3月25日、開催された(図1)。高集積化の手段をこれまでの微細化だけではなく、縦に積み上げる方式も加わると見て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は着実に進んでいる。 [→続きを読む]

バンプ形成、PCB実装など黒子ビジネスが活発に

バンプ形成、PCB実装など黒子ビジネスが活発に

ファウンドリやEMS(製造請負専門サービス)など、ブランドを表に出さない「黒子ビジネス」が国内で活発になっている。京セラはウェーハ上にバンプを形成する請負サービスであるウェーハバンピングサービスを拡大し、沖プリンテッドサーキットは横河電機のプリント配線板生産と基板実装の事業を買収する。 [→続きを読む]

「サイバーフィジカル時代はスマートATEで生き残る」

「サイバーフィジカル時代はスマートATEで生き残る」

National InstrumentsはICT業界のトレンドを常にウォッチしており、毎年トレンドに関する冊子を発行している。今年は、5Gと、それに伴うIoTの普及によって産業用のIoTすなわちIIoTによる機械の知能化、それによる新しいモノづくり革命、さらにATE(自動テスト装置)の変革、について触れている。 [→続きを読む]

先月最もよく読まれた記事は東芝の3D-NANDフラッシュ

先月最もよく読まれた記事は東芝の3D-NANDフラッシュ

2015年3月に最もよく読まれた記事は、東芝の3次元NANDフラッシュメモリに関する記事だった。 これは、サムスンの発表よりも遅れること1年半、東芝も3D-NANDを製品化したというニュースだ。東芝は、微細化を優先したのち10nm時代に入ると同時に3D-NANDに移行する計画だったから、予定を早めたことになる。 [→続きを読む]

SiCに加えGaNも手に入れ、パワー半導体の地位を固めるInfineon

SiCに加えGaNも手に入れ、パワー半導体の地位を固めるInfineon

森 康明氏、インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社 代表取締役社長

パワー半導体でトップを行くドイツのInfineon Technologiesの好調が続いている。2015年第1四半期(2014年12月末期)の売上額は11億2800万ユーロ、利益1億6900万ユーロ、利益率は15%になる。総合電機のSiemensから独立したInfineonだが、かつての親会社の資本は今やゼロ。Infineonから分社化したQimondaはバブル崩壊後2009年に倒産したが、その株式を保有していたInfineonは大きく傷ついた。しかし、見事に独力で立ち直った。(動画あり)

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3D-NANDの製品発表相次ぐ

3D-NANDの製品発表相次ぐ

先週末、東芝が3D-NANDの製品を発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内に縦方向にメモリを直列接続した構造で、リソグラフィを多少緩くしても容量を上げられる。ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構造に大きな差があった。 [→続きを読む]

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