Semiconductor Portal

大和田敦之の日米の開発現場から

» ブログ » インサイダーズ » 大和田敦之の日米の開発現場から

スマホのランキングデータから見えてくるもの

スマホのランキングデータから見えてくるもの

今や半導体チップを大量消費する電子機器はスマートフォンになった。いろいろな調査機関が世界市場でのランキングを調べて発表している。これらはもちろんのこと、互いに完全に一致することはない。セミコンポータルにも「スマホの出荷台数、パソコンの4倍に」との記事(参考資料1)があり、半導体を大量消費するスマホの姿を浮き彫りにしている。ただ、同じように追う以上、種々調査機関での結果が似ていることになるのは間違いない。 [→続きを読む]

暗号化で進めるICT情報防衛

暗号化で進めるICT情報防衛

この10月14日に、東京地裁はベネッセコーポレーションの顧客情報漏洩犯罪に関わる初公判を開いた。それによると、顧客データベースの保守管理をベネッセが委託した外部業者の派遣社員であった被告Mは、ベネッセの顧客情報を盗み出して名簿屋に売却して約400万円のなどの金額を不正に受け取り、総額3,000万円を超す大金を詐欺した、と言う嫌疑がかけられている。ベネッセの机上のPCでは、ワーカーは情報データをUSBメモリにコピーできない設定だったが、被告Mはその裏をかいて眼の前のPCにスマホを接続しデータを転送して持ち出す犯罪をおかした模様である。 [→続きを読む]

シリコンバレーのエンジニア魂を表現した本、The Intel Trinity

シリコンバレーのエンジニア魂を表現した本、The Intel Trinity

米国でこの7月に「The Intel Trinity」(著者Michael S. Malone) という題名の本が、米国Harper Business社から刊行された。筆者が題名を訳すならば「インテル社の三位一体(さんみいったい)」である。副題には、「ノイス、ムーアそしてグローブがトリオとして世界で最も大事な会社をいかにして作りあげたのか?」とある。この本はもちろん原書で、訳本はまだ存在していない。 [→続きを読む]

FinFETの量産の困難な壁を乗越えなくては次に進まない

FinFETの量産の困難な壁を乗越えなくては次に進まない

世界の一部の先進半導体メーカーはFinFETの大きな製造上の問題に挑戦している。理由はプレーナ型の従来CMOSでは、そのゲート-ドレイン間の電界集中部で発生するリーク電流が過大なのに、FinFETはそのリーク電流が微小であって、微細化される次世代デバイスは、FinFETが担うとの共通認識が拡がっているからだ。このデバイスに関してはセミコンポータルに筆者も紹介記事を投稿している(参考資料1)。 [→続きを読む]

大幅な赤字になっているスマートフォンの貿易収支

大幅な赤字になっているスマートフォンの貿易収支

野村證券が発行する国際金融為替ウィークリー誌、3月10日版は携帯電話(含スマートフォン)の貿易収支を紹介している。それによると大幅な入超であり2007年の輸入超過額が1,500億円だったのが、2012年には1兆円規模になった。製造業で競争力の強い製品がある場合、貿易収支は当然ながら黒字になる。したがって、わが国の携帯電話やスマホは国際競争力に問題がある。 [→続きを読む]

実用化に向かい邁進する、スピントルク型メモリ

実用化に向かい邁進する、スピントルク型メモリ

東北大学の佐藤ら(敬称略)は電子スピンに情報を記憶させる新しいメモリ技術を開発し、米国ワシントンD.Cで2013年12月開催された国際学会IEDM(International Electron Devices Meeting)において発表したと、12月10日の日本経済新聞は報じた。スピンは直観的に電子の回転になぞらえることができるので、上向きのスピンに例えば”1”を割り付け、下向きのスピンに”0”を割り付けることが可能になる。 [→続きを読む]

究極のデバイスFINFETの実用化がこの6月に始まった

究極のデバイスFINFETの実用化がこの6月に始まった

次世代のロジック系LSIにおいて活躍する能動素子はやはり電界効果型トランジスタを用いたCMOS回路になるだろう。脳に匹敵する300億トランジスタからなる1チップLSI(参考資料1)は動作速度が十分に速く、かつリーク電流が小さく消費電力が抑えられて初めて可能だ。筆者が考えるにこの利点を有するデバイスに注目するとMOSFETの先端を走るのがFINFETだ、と考えている。 [→続きを読む]

<<前のページ 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 次のページ »