2010年1月 5日
|津田建二の取材手帳
新年明けましておめでとうございます。今年もセミコンポータルにおいて、良質な記事をお届けしたいと思います。半導体業界を中心に、ハードとソフトを含めた製造業への取材を行い、それを元にテクノロジー、インダストリー、マーケットなどのコラムで半導体産業の役に立つ記事を提供します。ブログはほんの手掛かりにすぎません。ブログの裏付けは記事において反映する、これが基本方針です。今年もどうぞよろしくお願いします。
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2010年1月 5日
|長見晃の海外トピックス
世界経済不況による大きな落ち込みに対して世界各国・地域の景気回復策を総動員して必死の食い止めに追われた感のある2009年も終わり、新しい年、2010年を迎えている。半導体業界も、慎重な在庫調整・補充、新興市場の旺盛な需要などで、当初のマイナス見込みほどには至らなかったようである。
2009年から2010年への年越しを業界記事から総括してみる。
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2009年12月28日
|津田建二の取材手帳
今年1年間、ご愛読ありがとうございました。2009年最後のブログです。
2009年を振り返ってみると、ひどい落ち込みに見舞われた1年だといえる。特に第1四半期(1〜3月)の世界の半導体デバイスの売り上げは前年同期比29.4%減の4431億ドルを記録した。2月の単月では1423億ドルまで沈んだ。この10月になりようやく、前年同月比4.8%減の2249億ドルまで回復した。この数字は2008年の11月の2087億ドルを超えているため、2009年11月、12月の数字は間違いなくプラス成長に変わるだろう。
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2009年12月28日
|泉谷渉の視点
「このまま手をこまねいていれば、日本が得意とするLEDのマーケットは韓国勢・台湾勢にやられまくってしまう。何故に大型設備投資の計画を打ち出さないのだろう」。LED(発光ダイオード)の化合物材料を供給する企業の営業マンがうめくように言った言葉である。確かに焦点になっている白色LEDについてはこれまで、日本の日亜化学工業、豊田合成など日本勢が圧倒的なシェアを誇ってきた。
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2009年12月28日
|長見晃の海外トピックス
世界経済危機による落ち込み、世界各国・地域の回復に向けた必死の努力に追われた2009年、世界半導体販売高も年半ばでは21.3%の減少かと見られたが、1-10月までの累計では16.6%減となっていて(米SIAの3ヶ月平均データのベース)、食い止める各方面の努力が反映されてきている。緩やかな回復を続けている現時点で、半導体・デバイス業界のこの2009年を振り返る。
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2009年12月21日
|長見晃の海外トピックス
長きにわたるGartner社からの速報データでは、半導体業界の2009年売上げは$226 billionで、2008年から11.4%減、ここ25年で6度目の減少になる、とのことである。世界経済危機の渦中で、もっと大きな落ち込みの見方も見られたが、各国・地域の経済対策が奏功、ここまでに踏みとどまったという締め方が大勢にように思う。グローバルな経済の潮流に取り残されないよう、追い付き追い越せ、そのような実態を特に感じるこの1年である。
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2009年12月17日
|津田建二の取材手帳
MIRAIプロジェクト成果報告会に出席した。More Mooreとして微細化を推し進める結果、デバイス物理からレビューし、衝突のないバリスティックトランジスタや、FINFETのような3次元トランジスタ構造、ショットキーバリヤのソース接合といったアイデアなど、半導体がさらに発展することは明確になった。半導体産業の重要性も経済産業省は認識している。ならばプロジェクトのやり方を再検討することが重要ではないか。
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2009年12月14日
|津田建二の取材手帳
海外のスーパーコンピュータは民間企業が開発し、クレイ、SGI、サンマイクロシステムズ、そしてIBMが性能トップ10メーカーに入っている。IBM以外はいずれも日本のNECや日立製作所よりも小さな企業である。しかも性能は日本製よりも高く、価格は安い。国からの援助もない。一方、日本勢は、NECと日立がスーパーコンピュータ分野から手を引き、富士通1社だけが国の援助を受けながら開発を続けている。
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2009年12月14日
|長見晃の海外トピックス
クリスマス、正月、旧正月とHoliday Seasonを控え、電子機器セットの作り込みは山を過ぎて、来年、そしてその先に向けてどのような技術を駆使して市場のアプリケーション・ニーズに最大限応えていくか、この時期、タイミングにおけるいつもながらの課題であり、風情でもある。このサイクルが健全にいつまでも続くようにと願う思いがある。
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2009年12月11日
|大和田敦之の日米の開発現場から
シリコンカーバイドはバンドギャップがシリコンと比べて大きく結晶の融点も高いため、高温でも動作し使用時の温度範囲を広くとれる。かつ逆耐圧が高く稼働電圧電流を大きくとれる利点もある。その上、熱伝導率はシリコンの3倍もあって、これはパワーデバイスにとって夢の半導体材料といえよう。そのシリコンカーバイドが市場に登場して来た。
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