NANDフラッシュ・ラッシュ;SK hynix が321層、Micronは 60TBの小型SSD

韓国SK hynixがこれまで最高層数となる321層のNANDフラッシュの生産を2025年前半に開始すると発表、米Micron Technologyは従来製品の20%消費電力の低い60TB(テラバイト)のSSD(半導体ディスク)を開発、顧客向けの認証プロセスを開始した。共にTLC(3ビット/セル)方式のNANDフラッシュで、今後の市場回復に向けて新製品を出してきた。 [→続きを読む]
韓国SK hynixがこれまで最高層数となる321層のNANDフラッシュの生産を2025年前半に開始すると発表、米Micron Technologyは従来製品の20%消費電力の低い60TB(テラバイト)のSSD(半導体ディスク)を開発、顧客向けの認証プロセスを開始した。共にTLC(3ビット/セル)方式のNANDフラッシュで、今後の市場回復に向けて新製品を出してきた。 [→続きを読む]
2024年第3四半期における世界半導体チップメーカーのランキングが発表された。1位は言うまでもなくNvidiaで2位にはSamsung、3位Broadcom、4位Intel、5位SK hynixという順になった。半導体市場全体では今期、前四半期比(QoQ)で10.7%増の1660憶ドルで、前年同期比(YoY)では23.2%成長と高い。 [→続きを読む]
先週はNvidiaの決算が発表され、2024年8~10月期の売上額、営業利益は共に四半期ベースで過去最高だった。売上額は前年同期比94%増(ほぼ2倍)の350.8億ドル(約5.45兆円)、営業利益は218.7億ドル、営業利益率が62%と極めて高い。またキオクシアが12月に株式上場することを決めた。ラピダスに政府が2000億円を出資する。 [→続きを読む]
先週、Nvidiaの株価が上昇し、Nvidiaの時価総額が再び世界一となった。半導体企業の時価総額が世界一を11月17日現在もキープしている。Nvidiaの好調さを見ているAMDもデータセンターへ大きく舵を切りゲーム向け市場からは撤退する可能性が高くなった。東京エレクトロンがAppliedやASMLと同様、中国比率を減らしつつある。ラピダスにEUV装置が12月に到着する。 [→続きを読む]
基地局を設置している通信機器産業は不況からまだ抜け出せない状況だが、独自SoC設計は進化を続けている。スウェーデンのEricssonは、このほど5Gを進化させるための独自半導体SoC「Ericsson Silicon」をMassive MIMO機器の中で少なくとも5種類開発していることを明らかにした。それも3nm、4nm、5nmなどの最先端技術を伴っているという。 [→続きを読む]
台湾TSMCは10月売上額が前年同月比29.2%増で過去最高の3142億台湾元だったと発表した。韓国SK HynixはHBMでさらにSamsungをはじめとするメモリメーカーに差をつける構えだ。いずれもAI向けチップで成長している。Qualcommは2024年7〜9月期の決算発表でAIシフトを鮮明にした。AI特需を狙いキオクシアの北上工場新棟が運用開始した。ベルギーのimecは東京と北海道に拠点を置くことを決めた。 [→続きを読む]
カーエレクトロニクスが転換期に来ている。従来の制御系からIT化・デジタル化が進展してきたことで、「IT立国」台湾の出番がやってきた。10月30日には日本と台湾のコラボレーションを目的とする「日台産業連携架け橋フォーラム in 東京」(図1)が東京のホテルオークラで開催され、台湾が自動車産業へ乗り出してきたことが明白になった。半導体ではnmオーダーのプロセスが求められる。 [→続きを読む]
Bluetooth無線通信規格に、また新しい応用が出てきた。これまでマウスやキーボード、イヤフォンなど手軽な短距離無線を中心に広がってきたが、データレートを落とした長距離無線やIoTセンサ向けのメッシュネットワーク、一斉送信させるブロードキャスト機能、電子値札デバイス、位置検出などの機能を追加してきた。ここにチャネルサウンディングと呼ばれる測距機能が加わった。 [→続きを読む]
世界の半導体は、生成AIとデータセンターでの競争に勝っているかどうかで企業の評価(株価)が分かれている。例えば生成AI狙いのHBMでは、SK hynixやMicronはNvidiaのチップと共に供給される一方、Samsungの出遅れが目立つ。日本の半導体は政府の補助金からサヨナラする方策が考え出され、出資や融資に変更していくことになりそうだ。 [→続きを読む]
パワー半導体技術が活発になっている。Texas Instrumentsは、テキサス州ダラス工場に加え、日本の会津工場でもGaNパワー半導体の工場を稼働させたことを発表した。ダラスのGaN第1工場だけでなく会津の第2工場がフル生産するようになると生産能力は4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える生産を構築した。 [→続きを読む]