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セミコンポータルによる分析

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Valens、最大8Gbpsの信号を最大40メートル伝送できるSerDesチップ

Valens、最大8Gbpsの信号を最大40メートル伝送できるSerDesチップ

今後車載カメラが十数個搭載されるようになると、カメラからのデータをクルマ内のドメインコントローラやECUなどカーコンピュータユニットに送られる配線は極めて複雑になる。複数の配線を1本にまとめるSerDesチップは欠かせなくなる。この市場を狙ったイスラエルのValens Semiconductorが日本の自動車市場にやってきた。 [→続きを読む]

グリーントランスフォーメーションの基本、バッテリ技術の進展進む

グリーントランスフォーメーションの基本、バッテリ技術の進展進む

IoTがDX(デジタルトランスフォーメーション)の基本技術として年率20%で着実に成長している間に、エネルギーの効率化を目指すグリーントランスフォーメーション(GX)も着実に始まっている。ここでは半導体とバッテリが基本技術となる。トヨタが家庭用電池事業に参入、米スタートアップが安価な材料で低価格電池の開発、パナソニックが大増産、日立が送電線の点検監視サービス開始、といった動きが目立つ。 [→続きを読む]

Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発

Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発

Industry 4.0は、そう簡単には進まない。世界各地の工場はそれぞれ独自のネットワーク規格やプロトコルで動いているからだ。独自規格をIndustry 4.0を実現するTSN(Time Sensitive Network)規格に変換しながら下位互換性を持たせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN規格と主要な複数の産業用ネットワークを切り替えられるマイコン「i.MX RT1180」を製品化した。 [→続きを読む]

AMD-Xilinx、ロボットOS2搭載のSoMスターターキットを発売

AMD-Xilinx、ロボットOS2搭載のSoMスターターキットを発売

コンピュータの最大のメリットは、共通のハードウエアを基にソフトウエアを入れ替えるだけでさまざまな機能を実現できることだが、ロボットでもそれが可能になる。AMD-Xilinxは、FPGAを集積したSoCを搭載しR(ロボット)OS2 を採用したロボット向けのシステムオンモジュール(SoM)「Kria」を開発、そのスターターキットを発売した。ロボット開発が大幅に短縮されそうだ。 [→続きを読む]

NANDフラッシュ、22年1Qは販売額がQoQ3%減るも2Qは10%超成長の期待

NANDフラッシュ、22年1Qは販売額がQoQ3%減るも2Qは10%超成長の期待

メモリに強い市場調査会社TrendForceによると、直近のNANDフラッシュメモリの売上額ランキングではキオクシアは2位を死守した(参考資料1)。2022年第1四半期におけるNANDフラッシュ市場全体では、前四半期比3%減の179.2億ドルとなったが、2位のキオクシアは不純物混入によるトラブルがあったのにもかかわらず、4.5%減にとどまった。 [→続きを読む]

半導体投資が活発に、買収や新工場建設に動く

半導体投資が活発に、買収や新工場建設に動く

未来に向けた仕組み作りに半導体投資が活発になってきた。先週話題になった世界第6位の半導体BroadcomによるVMwareの買収を提案、UMCはシンガポールでの新工場建設用地使用権を取得、SUMCOが合計3500億円を投資、Si結晶インゴット生産工場を日本と台湾に建設する。先端製品ではQualcommが4nmプロセスのSnapdragonを開発した。 [→続きを読む]

DRAMのトップ3社による市場シェアは94%、寡占化続く

DRAMのトップ3社による市場シェアは94%、寡占化続く

2021年のDRAM市場は、前年比42%増の961億ドルになったとIC Insightsが報告した。約11兆円である。この内、Samsung、SK Hynix、Micron Technologyの3社が占める市場シェアは94%で、寡占化が続いている。トップのSamsung、Hynix、Micronのそれぞれのシェアは、43.6%、27.7%、22.8%となっており、その他は5.9%しかない。 [→続きを読む]

1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV急速充電/再エネ需要加速

1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV急速充電/再エネ需要加速

EV(電気自動車)の急速充電や再生可能エネルギーのDC-ACコンバータなどの用途に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン抵抗を減らした製品が競い合っている。UnitedSiCを買収したQorvoが1200V耐圧でオン抵抗23mΩ(図1)、SiCデバイス販売額トップのSTMicroelectronicsを追いかけるInfineonが2000V耐圧でオン抵抗20mΩ程度のSiC MOSFETを発表した。 [→続きを読む]

4人乗り軽自動車のEV化が本格的に、米大統領はSamsung訪問を最初に

4人乗り軽自動車のEV化が本格的に、米大統領はSamsung訪問を最初に

4人乗りEV(電気自動車)の軽自動車が本格的に登場した。日産自動車と三菱自動車が共同開発したもの。走行距離は180kmと短いものの、補助金の対象になっており180万円台に抑えられている。EVの急速充電の普及も進んでいる。コンピュータ(ECU)化と共にクルマのOSも普及している。半導体に強い韓国を、日本より先にバイデン大統領が訪問した。 [→続きを読む]

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