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2013年7月

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光/近接センサが急成長している。2012年に5億5510万ドルの売り上げが2013年は41%増の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル(旧アイサプライ)は見る(図1)。2017年までにCAGR(年平均成長率)19%という見通しで、この年には13億ドルに到達すると予測する。 [→続きを読む]
Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→続きを読む]
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この1週間のニュースは、スマートフォンのトレンドにうまく乗ったメーカーが成長しているため、今後もこのスマホトレンドに乗っていくためのニュースが相次いだ。折しも米市場調査会社のIDCが2013年第2四半期(4〜6月)におけるスマホの出荷台数トップファイブを発表した。 [→続きを読む]
high-endスマートフォンの売れ行き低迷など不安要因が出ているなか、アップル、QualcommそしてSamsungの第二四半期売上高は過去最高を示し、モバイル機器に当面の伸びを託さざるを得ない状況である。このようななか、売上げアップを図るあの手この手ということで目についたのが、インテルの先端プロセス品はもちろんとしてカスタム半導体へのアプローチ、そしてアナログ半導体を引っ張るテキサス・インスツルメンツ(TI)の設計データ提供のアピールであり、ともに顧客密着の原点を感じている。 [→続きを読む]
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中国におけるIC生産をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという結果が米市場調査会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012年におけるIC生産額について調べたもの。中国におけるIC生産は2012年に89億ドルにとどまり、ICを使う市場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→続きを読む]
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンが市販車のカーレース、Super GTに参戦する。ADAS(Advanced Driver Assist System:次世代ドライバー支援システム)を実際のレースでテストしてみるのがその目的だ。速度やエンジン回転数などの車両情報、クルマの前後左右の周辺情報、そしてドライバーの生体情報を、同期をとりながら取得していく。 [→続きを読む]
この5月に共通番号制度法が成立した。これは国民全員に固有番号を付す点で既に成立している住民基本台帳法と同じである。ただ、後者は、氏名、現住所、生年月日など四つのデータしか扱わない、ごく単純なものだが、今回成立した通称マイナンバー法は各個人の社会保障や税のデータベースと統合することを目指している。 [→続きを読む]
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MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
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この1週間で久しぶりに明るい話が登場した。東芝とエルピーダがスマートフォンの好調を受けて投資を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東芝はNANDフラッシュメモリの設備増強に最大300億円を投資、エルピーダも台湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM生産を、4月の300mmウェーハ1万枚から年末までに4万枚/月に増産する。 [→続きを読む]
パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]

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