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2011年1月

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インテルと大学、携帯充電器の統一、などコラボレーションの試みが活発に

インテルと大学、携帯充電器の統一、などコラボレーションの試みが活発に

先週は、インテルが大学の研究に今後5年間で1億ドルを投資すると発表、欧州におけるスマートフォン用共通充電器が動き出し、電気自動車用の充電器の通信規格標準化をNECが主導し、実験を始めた、というニュースが流れた。これらに共通するコラボレーションが今後のビジネスのキーワードとなる。 [→続きを読む]

目標に向かう熱気、伸びていく面白さ、結集する環境づくり

目標に向かう熱気、伸びていく面白さ、結集する環境づくり

米国国民の視聴率が高い時間帯に行われるObama大統領の一般教書演説とのことであるが、有人月着陸ロケットに向けて燃えに燃えたあの頃の熱気と自信を今こそと訴える下りが、先進経済圏の奮起を促す強烈なメッセージとして響いてくる。大容量化、高速化、低電力化に向けて、国内各社が切磋琢磨、世界を引っ張るに至った頃の我が国の半導体業界に通じるところを感じている。 [→続きを読む]

ファウンドリ構想への反響が大きく、半導体産業について考える

ファウンドリ構想への反響が大きく、半導体産業について考える

日本でファウンドリ事業はできないものだろうか。昨年秋に、このブログで「一刻も早く日本はファウンドリを設立すべき」という提案をさせていただいたら、大きな反響をいただいた。ページビューが多かっただけではない。メールをいただき、一緒にディスカッションさせていただいたグループが複数もあった。 [→続きを読む]

グローバルファウンドリーズ、28nmのゲートファーストを20nmでラストに転換

グローバルファウンドリーズ、28nmのゲートファーストを20nmでラストに転換

Douglas A. Grose氏、Global Foundries社CEO 米グローバルファウンドリーズ社がシンガポールのチャータードセミコンダクターを傘下に収めてほぼ1年。いまや世界第2位のファウンドリ企業になった。このほど来日したCEOのダグラス・グロース氏は今年の方針を語った。 [→続きを読む]

アルテラ、ハイエンドからローエンドまで全て同時に28nmプロセスを採用

アルテラ、ハイエンドからローエンドまで全て同時に28nmプロセスを採用

アルテラは、ローエンドからミッドレンジ、ハイエンドに渡る広いアプリケーションに向けたFPGAを28nmプロセスで一気に作ると発表した。これまでは、微細化プロセスはハイエンドから始まり、ミッドレンジ、ローエンドへとマイグレーションしてくるのが普通だった。今回は全てのクラスを一気に28nmへと持ってくる。 [→続きを読む]

ナショナルセミ、プログラム可能なセンサー信号処理ICを開発ツールと共に提供

ナショナルセミ、プログラム可能なセンサー信号処理ICを開発ツールと共に提供

アナログ分野に注力してきた米ナショナルセミコンダクター社は、ICチップの設計製造からソリューション提供ベンダーへと脱皮し始めている。温度センサーとそのコントローラで定評のある同社は、異なるセンサーにも対応し、設定をユーザーがプログラムできる1チップ信号処理ICを開発、その開発ツールも遅れずに提供する。 [→続きを読む]

NECとレノボの提携から見えてきた、サービス事業への展開を迫られる半導体

NECとレノボの提携から見えてきた、サービス事業への展開を迫られる半導体

先週は、NECが中国のパソコンメーカー、レノボと合弁事業を始めるというニュースが飛び込んできた。1990年代前半のMS-DOS時代まではNECのパソコンは国内の市場シェア50%を超え断トツだったが、今や18.3%まで落ちてきた。いまだにパソコンにリソースを割かなくてはならなかったNECにとっては渡りに船。レノボも日本市場を拡大できる。 [→続きを読む]

連携の力でOnly One, Best Oneを! 半導体そして我が国

連携の力でOnly One, Best Oneを! 半導体そして我が国

米中首脳会談で中国の経済力を前面にした台頭ぶりを感じさせられたのと同じタイミングで、中国のGDPが前年比10.3%増で我が国を抜いて世界2位の座を明け渡す状況になっている。当時の西ドイツを我が国が抜いて40年あまりのこと、大きな節目ではあるが様々な国力指標というものから見れば自然な流れとも思う。半導体の世界は、先行して規模の市場は中国はじめ新興経済圏にシフトしており、簡単なようでなかなか難しい連携の力でOnly One, Best Oneを生み出していかなければ、とますます考えさせられている。 [→続きを読む]

三菱電機がSiC MOSFETのDC-ACコンバータで98%強の効率を達成

三菱電機がSiC MOSFETのDC-ACコンバータで98%強の効率を達成

三菱電機の先端技術総合研究所は、SiCのパワーMOSFETとショットキーバリヤダイオードを用いた直流-交流変換器を試作、その入出力の変換効率を測定したところ、98%強という値を得た。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせによる変換器と比べ、2ポイント以上向上しているという。 [→続きを読む]

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