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2009年6月

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Tyson Tuttle氏、ブロードキャスト製品担当ゼネラルマネジャー、Silicon Laboratories 通信、ネットワーク、放送向けなどの半導体チップを得意とする米国のファブレス半導体メーカー、シリコンラボ社(Silicon Laboratories)は、純粋のCMOS技術だけを利用して1チップのテレビ用チューナーを開発した。このほど日本市場にターゲットにして来日した同社ブロードキャスト製品担当ゼネラルマネジャー兼バイスプレジデントのタイソン・タトル(Tyson Tuttle)氏に製品戦略を聞いた。 [→続きを読む]
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日本半導体製造装置協会(SEAJ)がまとめた2009年5月における日本製半導体製造装置の受注額、販売額がまとまった。これによると、5月のB/Bレシオ(販売額に対する受注額の比)は3ヵ月の移動平均で0.66と上昇傾向を見せている。B/Bレシオは3月に0.30まで落ち込んだのに対して4月に0.44と上向いていた。5月ははっきりとした強さがうかがえる。 [→続きを読む]
ワイヤレステクノロジーがこれからますます大きく成長する。HSPAやLTEなど通信ネットワークやデータ通信網WiMAXだけではなく、宇宙航空、計測機器、産業機器、民生機器、コンピュータ、医用機器、自動車エレクトロニクスなど幅広く、どこにでもワイヤレス技術が入り込みその応用が増えてくることがはっきりしている。米アナログ・デバイセズ(Analog Devices)社はワイヤレス技術の中核をなすRF技術のシグナルチェーン全体をカバーするソリューションを提案した。もちろんブロードバンドにも対応する。 [→続きを読む]
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先週におけるニュースとして取り上げたいのは、インテルとノキアの提携、である。半導体メーカートップのインテルと、携帯電話メーカートップのノキアが一緒に組み、将来の小型携帯機器を作ろうとしている。違う分野の強いもの同士が組む、という将来の勝ちを意識した提携である。インテルはもはやパソコンだけのプロセッサチップの会社では生き残れないことをよく知っている。別の話題はエルピーダへのリスクである。 [→続きを読む]
微細化の障壁を次々と打ち破って、30兆円のグローバル市場規模が見えてきていた半導体業界が、昨年後半以降の経済危機&不況に直面している現状である。伸びる勢いと豊富なリソースがあってこそのここまでの市場規模拡大と、今になって一層痛切に感じることであるが、ここは何としても乗り越えていかないと。募っていく思いである。 [→続きを読む]
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「ナノテクノロジーの有望株と言われたMEMSデバイスは、ここにきて曲がり角を迎えている。現段階で6000億円から7000億円の市場はあると思われ、年間成長率も10%強で推移しており、半導体デバイスの約2倍。しかしながら、市場規模全体から言えばMEMSは半導体の約40分の1という小さな世界で、インパクトが少ない」(アイサプライジャパン 南川明副社長)。 [→続きを読む]
アルバックは、タンデム構造(アモーファスSiと微結晶Siとのスタック構造)の薄膜シリコン太陽電池を量産するためのターンキーシステムCIM-1400と、薄膜特性を評価するための検査装置MPEC-1300の販売を開始した。タンデム構造にするのは薄膜シリコン太陽電池の効率を上げるため。これにより変換効率は9%に上がり、パネルにおいて130W出力を保証する装置となっている。評価装置は1台でラマン分光から抵抗率まで6項目を測定できる。 [→続きを読む]
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昨年第1回のPV Japanが開催され、今年は第2回目を迎えた。今年は出展社数303社、小間数599小間と、それぞれ対前年比で37%、14%増加した。経済不況のさなかに増加した展示会は極めて珍しい。また、今回は、太陽電池の「PV Japan」だけではなく、再生可能なエネルギー協議会が主催する「第4回新エネルギー世界展示会」も加えた。しかし展示会の実態はPV Japanのブースが8割以上を占めていた。 [→続きを読む]
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パワーマネジメントチップに強い米ナショナルセミコンダクタ(National Semiconductor)社が太陽電池パネルの出力を最大限に上げるためのデバイス、SolarMagicパワーオプティマイザを日本市場に出荷し始めた。5月27日に欧米市場で出荷した製品を日本市場にも供給することになる。SolarMagicパワーオプティマイザを使わない太陽電池パネルと比べ、年間発電量が32%増えるというシミュレーション結果が出ている。 [→続きを読む]
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先週の動きの中でLSIチップとして最も気になったニュースは、日本TIが半導体の営業拠点を5倍に増やすというニュースである。ここ1〜2日ではパワー半導体の開発に向けたニュースが出てきた。パワー半導体とはいっても電気自動車市場に向けた高温動作が可能な特殊なSiCあるいはGaNによるデバイス開発だ。 [→続きを読む]

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