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プロセス

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先週末、ルネサスエレクトロニクスの2013年度第1四半期(4〜6月)の決算発表会が開かれた。営業損益は黒字を確保したが、リストラ費用などで特別損失を計上した。記者側の質問は、決算内容よりもっぱら工場閉鎖に関するものばかり。土曜日の日本経済新聞、日刊工業新聞とも工場閉鎖を話題として取り上げた。 [→続きを読む]
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中国におけるIC生産をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという結果が米市場調査会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012年におけるIC生産額について調べたもの。中国におけるIC生産は2012年に89億ドルにとどまり、ICを使う市場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→続きを読む]
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MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
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半導体製造装置が好調だ。SEAJが発表した5月の受注額・販売額・B/Bレシオを見る限り(参考資料1)、今年は上向きになりそうだ。SEAJは先週、2013〜2015年度の日本製半導体製造装置の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日付けでそのニュースを掲載した。先週はニコンが450mm向け装置開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→続きを読む]
ミニマルファブのプロジェクトが組織化され、昨年12月のセミコンジャパンにおいて初めて装置のモックアップが展示された。今どこまで進展したのか。その第1回の報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東京品川で開催された。 [→続きを読む]
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欧州が100億ユーロの半導体開発プロジェクトを発表、米国VLSI Researchは450mmウェーハの装置開発が300mmの時よりもずっと少ない金額で開発できるというレポートを発表した。英国からも電子産業を主力産業に育てようというレポートが出た。先端半導体の開発計画が欧米で活発になっている。 [→続きを読む]
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを製品化した。MEMSラストのプロセスで製造、振動子としてSiGe薄膜を用いたことでSiよりも機械的強度が強く、急冷・急熱や衝撃にも強いため、±20ppmの周波数安定性を10年間保証する。 [→続きを読む]
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SEAJ(日本半導体製造装置協会)が発表した、2013年5月における日本製半導体製造装置の1.17というB/Bレシオ(販売額に対する受注額の比)は、受注額が増え続けている好調さをよく表している。昨年10月を底として、受注額は伸び続け、5月には1年ぶりに1000億円の大台に乗った。 [→続きを読む]
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Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]
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日本の半導体製造装置メーカーは世界市場で依然、健闘している。VLSI Researchが行った半導体製造・検査装置大手の顧客満足度調査では、日本企業が上位10社中6社を占めている、と6月17日の日経産業新聞が伝えた。先週は、設備関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新市場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→続きを読む]
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