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プロセス

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IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導体の発表がさまざまな研究所、大学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流の傾斜を急峻にできるというメリットがあるため、各社はこれを生かし、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→続きを読む]
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世界のエコシステムをどうやって構築していくか、これをテーマにしたパネルディスカッション(図1)がSEMICONジャパンの会場で行われた。主催者のGSA(Global Semiconductor Alliance)は、世界中の半導体および半導体関連企業のトップが集まる人脈ネットワークで、事業の拡大と業界の発展に貢献することを最大の狙いとした団体だ。 [→続きを読む]
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相変化メモリがRAMとして使える可能性が出てきた。超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、結晶Aと結晶Bの遷移だけで相転移できる原理を利用したメモリを開発し、1億回を超える書き換え回数を得た。これ以上の書き換えテストは時間がかかりすぎるため、中止したという。 [→続きを読む]
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先週、SEMICONジャパン2013が開催された。展示は、幕張メッセのホール1〜6で行われ、国際会議場でセミナーが開かれた。業界で注目された東京エレクトロン(TEL)とApplied Materialsとの事業統合についての作業に入っているという発表があった。 [→続きを読む]
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ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。一見関係のない言葉だが、半導体のプロセスがITデータセンターの技術と今、深く結びついている。AEC/APCレポート(参考資料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導体プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと置き換わる過渡期にある。 [→続きを読む]
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Intelがファウンドリビジネスに参入することを正式に表明した。11月23日の日本経済新聞が伝えたものだが、米国時間21日にIntelは事業説明会を開催した。11月24日の日曜日には、東北大学を中心にMRAM開発を日米共同で開発するというニュースを日本経済新聞が報じた。久しぶりに半導体で大きなトピックスが続出した。 [→続きを読む]
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2013年10月における日本製半導体製造装置のB/Bレシオが先月の1.25を大きく超え、1.59という値になった。だからといって、文句なしに好況に向かうという訳ではない。受注は相変わらず上向きだが、販売額が落ちたために見かけ上B/Bレシオが大きく上がっただけにすぎないからだ。 [→続きを読む]
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2013年第3四半期におけるシリコンウェーハの出荷面積は、前期比で2%減の23億4100平方インチになったと、SEMIは発表した。これは前年同期比でも2%減である。長期的に見て、このところシリコンの面積は、やや足踏み状態にある。 [→続きを読む]
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IntelがIoT(Internet of Things)の分野に参入した。先月、Internet of Things Solution事業部を新設、このほど本部長のJim Robinson氏(図1)らが来日した。IoTといえばセンサや小さな端末の方に目が行きがちだが、Intelの狙うのはもっと上位のシステムだ。 [→続きを読む]
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半導体製造におけるプロセスパラメータがあまりにも膨大になり、まるでビッグデータそのものの扱いと同様な分析法が求められるようになりつつある。さまざまな検索データや通信ログ、などの膨大なデータをクラウド上で処理するビッグデータの解析手法が、半導体プロセスのデータにそっくりそのまま当てはまるのである。 [→続きを読む]
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