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EUVが着実に進歩している。台湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィ装置を使って、1日に1000枚以上、露光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松製作所の100%子会社)は半導体量産レベルに近い140W、デューティ比50%で連続運転を達成したと発表した。 [→続きを読む]
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セミコンポータル主催のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東京御茶ノ水で開催された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのような縦型メモリといったプロセスの3次元化を採り上げた。2014年12月のIEDMでもFinFETが大きなトピックスを占めたようだ。 [→続きを読む]
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2014 IEDM(International Electron Devices Meeting)での大きな問題は、IC業界が将来に向けてどこに向かっているのかを明確にすることだった。 [→続きを読む]
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2014年11月における日本製半導体製造装置のB/Bレシオは、1.33となった。これはSEAJ(日本半導体製造装置協会)が発表したもの。3ヵ月の移動平均値だが、11月の受注額は、前月比7.3%増の1157億2600万円、販売額は同10.0%減の871億2600万円となった。 [→続きを読む]
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300mmウェーハ工場を持つ企業の地域別生産能力のシェアを米調査会社のIC Insightsが発表した。これによると最もシェアが高いのは韓国企業で35%、次が北米の28%、3番目が台湾企業21%、日本企業は14%という結果になった(図1の右)。 [→続きを読む]
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イスラエルを本社とするTowerJazzグループがパナソニックとの合弁によるファウンドリ会社TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.(TPSCo:パナソニック・タワージャズセミコンダクター)を4月に設立、このほどそのビジネス内容を明らかにした。同社CEOのRussell Ellwanger氏(図1)がTPSCoによる製品ポートフォリオの拡大、さらなるビジネス拡大について明らかにした。 [→続きを読む]
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、Te(テルル)を使うカルコゲナイド材料を超格子に積層させた抵抗型メモリであるTRAMの理論モデルを構築、性能や消費電力向上のための設計指針を確立した。これをIEDM(International Electron Device Meeting)でレポートした。 [→続きを読む]
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かつてMotorolaの半導体部門から独立したON Semiconductorが2011年に旧三洋半導体を買収し、SSG(System Solutions Group)とした。旧三洋半導体の海外売り上げの比率は10%程度だったが、SSGとなって海外比率は50%を超えた、とON SemiのSSG担当シニアVP兼ゼネラルマネージャーのMamoon Rashid氏(図1)は言う。 [→続きを読む]
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16/14nm以降のFinFETは、形状、サイズ、ピッチ、材料、製造プロセスから見直すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノードのプロセッサHaswellから使われたが、その延長では済まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポートする。 [→続きを読む]
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Luc Van den Hove氏、ベルギーIMECのCEO ベルギーの半導体研究開発会社IMECが今年も日本でセミナー「IMEC Technology Forum(ITF)」を開いた。半導体製造よりもファブライトやファブレスを志向する日本の半導体産業に何を求めるのか、IMECのCEOであるLuc Van den Hove氏に会場で即興インタビューを行った。 [→続きを読む]
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