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IGBTの高速化に向け2種類のイオン注入装置をアルバックが発売

半導体製造装置もニッチ市場で勝負する時代といえそうだ。アルバックは、IGBTパワー半導体に特化した加速エネルギーが2keV〜30keVと低い加速電圧と、最大2400keVと極めて高い加速電圧の2種類のイオン注入装置を発売する。それぞれ浅い、深いpn接合を作るのに使う、両極端のニッチ向け装置だ(図1)。



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