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Agナノワイヤー透明電極をプラスチック基板に形成、CEATECに見る新トレンド

Agナノワイヤー透明電極をプラスチック基板に形成、CEATECに見る新トレンド

Agナノワイヤーが早くもガラス基板だけではなく、プラスチック基板でも形成でき、しかもタッチパネルデバイス用に製品に使われるようになってきた。米国のベンチャーCambrios(カンブリオス)社は、世界大手のパソコンメーカー、LenovoにAgナノワイヤーのプラスチック製品ClearOhmを提供すると発表した。 [→続きを読む]

Appliedと東京エレクトロンが経営統合へ、なぜライバル同士が急接近したか

Appliedと東京エレクトロンが経営統合へ、なぜライバル同士が急接近したか

Applied Materialsと東京エレクトロンが2014年後半を目標に経営統合すると発表した。両社はリソグラフィ以外の半導体製造装置のほとんどすべてをカバーしているが、統合によりAppliedの売り上げ72億ドルとTELのそれの54億ドルを単純合算すると126億ドルとなり、ASMLを抜きトップに躍り出ることになる。 [→続きを読む]

100億ユーロの欧州半導体産業計画の全貌が明らかに

100億ユーロの欧州半導体産業計画の全貌が明らかに

欧州が半導体産業(最近ではナノエレクトロニクス産業と表現することが多い)に100億ユーロ(約1兆3000億円)を投資するという計画(参考資料1)が明らかになった。この計画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn氏が450mmウェーハの実情を調査、そのレポートをベースに持ち上がった。来日したMalcolm Penn氏(図1)に、欧州計画について聞いた。 [→続きを読む]

コスト的にもSiに勝てるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

コスト的にもSiに勝てるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→続きを読む]

Infineonのパワー半導体、新パッケージ技術で差を付ける

Infineonのパワー半導体、新パッケージ技術で差を付ける

パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]

Xilinx、UltraScaleアーキテクチャで大規模FPGAの配線、クロック分配を刷新

Xilinx、UltraScaleアーキテクチャで大規模FPGAの配線、クロック分配を刷新

Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる回路が膨大になるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと名付けた(図1)。CLB(Configurable Logic Block)周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→続きを読む]

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