Appliedと東京エレクトロンが経営統合へ、なぜライバル同士が急接近したか

Applied Materialsと東京エレクトロンが2014年後半を目標に経営統合すると発表した。両社はリソグラフィ以外の半導体製造装置のほとんどすべてをカバーしているが、統合によりAppliedの売り上げ72億ドルとTELのそれの54億ドルを単純合算すると126億ドルとなり、ASMLを抜きトップに躍り出ることになる。 [→続きを読む]
Applied Materialsと東京エレクトロンが2014年後半を目標に経営統合すると発表した。両社はリソグラフィ以外の半導体製造装置のほとんどすべてをカバーしているが、統合によりAppliedの売り上げ72億ドルとTELのそれの54億ドルを単純合算すると126億ドルとなり、ASMLを抜きトップに躍り出ることになる。 [→続きを読む]
Freescale Semiconductorとロームが製品を補完し合い、車載向けプラットフォームを共同で提供し始めた。Freescaleはi.MX6プロセッサ、ロームはそのプロセッサに供給する電源用ICを一つのリファレンスボードに搭載、設計ツールとして車載メーカーに提供する。 [→続きを読む]
市場調査会社のIC Insightsは、2013年上期における世界の半導体設備投資額の地域別シェアでは、日本がわずか7%しかなかったことを報告した。最大の地域はアジア太平洋で、そのシェアは53%を占めている。日本の半導体はモノづくりをやめるのか。 [→続きを読む]
GlobalFoundriesの日本法人、グローバルファウンドリーズ・ジャパン(GFジャパン)が国内市場に向けて攻勢をかけている。特に、MEMS-ASICとカーエレクトロニクスは日本のメーカーが得意とするところ。これらの市場を攻めていく。 [→続きを読む]
欧州が半導体産業(最近ではナノエレクトロニクス産業と表現することが多い)に100億ユーロ(約1兆3000億円)を投資するという計画(参考資料1)が明らかになった。この計画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn氏が450mmウェーハの実情を調査、そのレポートをベースに持ち上がった。来日したMalcolm Penn氏(図1)に、欧州計画について聞いた。 [→続きを読む]
Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→続きを読む]
パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる回路が膨大になるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと名付けた(図1)。CLB(Configurable Logic Block)周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→続きを読む]
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを製品化した。MEMSラストのプロセスで製造、振動子としてSiGe薄膜を用いたことでSiよりも機械的強度が強く、急冷・急熱や衝撃にも強いため、±20ppmの周波数安定性を10年間保証する。 [→続きを読む]
台湾の鴻海精密工業が大阪に研究開発拠点を設立した、と6月1日付けの日本経済新聞が報じた。鴻海は液晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル液晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導体製造装置も回復しつつある。 [→続きを読む]
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