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UnitedSiC社、SiCパワーJFETで750V、18mΩの製品をリリース

UnitedSiC社、SiCパワーJFETで750V、18mΩの製品をリリース

SiC専門のパワー半導体メーカー米UnitedSiC社が耐圧750Vと高く、オン抵抗が18mΩ/60mΩと低いSiCパワーFET(図1)をリリースした。狙う市場は主に電動自動車(EV)とデータセンターの電源、ソーラーシステム用のインバータや蓄電池向けチャージャー。EV向けのオンボードチャージャーとDC-DCコンバータ向けなどはすでに出荷中だとCEOのChris Dries氏は言う。 [→続きを読む]

1ビットの推論AIチップのIPコアを国内ベンチャーLeapMindが一般販売

1ビットの推論AIチップのIPコアを国内ベンチャーLeapMindが一般販売

エッジやエンドポイントなどの端末でのAI推論機能を作り上げるのに、最優先されるのが低消費電力。端末はスマートフォンやハンディターミナルなどバッテリ駆動のデバイスが多いからだ。そこで顧客の学習モデルを再構成しながら分解能1ビット(バイナリ)でニューラルネットワークの重みを構成する技術 (図1)をIP化したスタートアップの日本のLeapMind(参考資料1)がこれまでの知見を元にIPコア新製品Efficiera(エフィシエラ)を発売した。 [→続きを読む]

TI、GaN-on-Si技術でドライバと保護回路を集積したパワーICを製品化

TI、GaN-on-Si技術でドライバと保護回路を集積したパワーICを製品化

Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバ回路や保護回路を集積した製品を発売した(参考資料1)。電気自動車(EV)のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば従来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすような大電力用途ではない。 [→続きを読む]

Micron、176層という最高層のNANDフラッシュをサンプル出荷

Micron、176層という最高層のNANDフラッシュをサンプル出荷

Micron Technologyが176層のNANDフラッシュメモリの出荷を開始した(参考資料1)。これまでもキオクシアの112層や128層の開発はあった。製品では96層のNANDが入手可能だが、従来の最大容量より40%以上も大きな容量のストレージデバイスとなる。しかも読出し・書き込みのスピード(レイテンシ)は35%以上も速いという。データセンタ向けSSDを狙う。 [→続きを読む]

Maxim、PLCでIndustry 4.0を可能にするIO-Link用ICを製品化

Maxim、PLCでIndustry 4.0を可能にするIO-Link用ICを製品化

アナログ/ミクストシグナルICのMaxim Integratedは、Industry 4.0に適したセンサからの入力信号を処理するICによって、10cm角ボードに小型化したPLCカードを開発、カードに搭載したI/O Link用IC「MAX22000」と「MAX22515」をリリースした(図1)。装置の予知保全や生産性向上を果たすIndustry 4.0では、I/O-Linkはセンサ情報をCPUに伝える役割が大きい。 [→続きを読む]

Infineon、ソーラーと蓄電システムにSiC市場を拡大

Infineon、ソーラーと蓄電システムにSiC市場を拡大

SiのIGBTよりも価格が1桁高く、市場調査会社の予測は毎年後送りになるほど外れてきたSiCパワーMOSFETだが、蓄電池との組み合わせでソーラーパネルのDC-DC/DC-ACコンバータなどでじわじわと広がり始めた(図1)。SiCのメリットは高耐圧、高周波であり、装置の小型化のメリットが最も大きい。なぜソーラーのような大きな設備でも小型化が必要なのか。 [→続きを読む]

Keysight、横からの飛び出しも評価する79GHzドップラーレーダー測定器

Keysight、横からの飛び出しも評価する79GHzドップラーレーダー測定器

計測器メーカーのKeysight Technologyは、対象物との距離を測るクルマ用ドップラーレーダーの測定器を拡充した。これからの79GHzのドップラーレーダーをテストするために3対の無線リモートヘッドを設けている。リモートヘッドは、距離をフレキシブルに変えられるヘッド1個と距離を固定したヘッド2個からなり、横からの飛び出しを評価できる。 [→続きを読む]

Arm、強相関電子メモリ専門のIPベンダーをスピンオフ

Arm、強相関電子メモリ専門のIPベンダーをスピンオフ

ArmのメモリIP部門が独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した(参考資料1)。Ce(Correlated Electron)RAMと呼ぶ、強相関電子系の材料を使った不揮発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。強相関電子系とは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→続きを読む]

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