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TI、Industry 4.0やTSNを意識した高性能MCUを開発

TI、Industry 4.0やTSNを意識した高性能MCUを開発

Texas Instrumentsは、これからの10Gbps EtherCATをはじめとする産業用高速ネットワーク向けの通信プロトコルやリアルタイム制御、モータの精密制御、装置間の同期をとりレイテンシの少ない応用に向けた高性能マイコン「Sitara AM243xシリーズ」を開発した(図1)。Industry 4.0やTSN、ローカル5Gなどこれからの工業用装置間でのデータ処理を狙う。 [→続きを読む]

小型、低消費電力のFD-SOIによる10万ゲートのFPGAをLatticeが出荷

小型、低消費電力のFD-SOIによる10万ゲートのFPGAをLatticeが出荷

10万ゲートの中規模FPGAながら、パッケージ面積が81mm2しかない製品「CertusPro-NX」をLattice Semiconductorがサンプル出荷を開始した。Samsungの28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)プロセスを使っているため、SRAMベースのFPGAながらソフトエラー率が1/100 FITとかなり小さい。 [→続きを読む]

汎用から専用で性能向上を図るプロセッサ技術をAMDが解説

汎用から専用で性能向上を図るプロセッサ技術をAMDが解説

これからのプロセッサはドメインコントローラという専用プロセッサが進展しそうだ。VLSI Technology and Circuitsの基調講演で、AMDのCTO兼Technology & Engineering担当VPのMark Papermaster氏は、カスタムコンピュータ技術の時代が来るとして、ハードウエアもソフトウエアも一緒に最適化するコンピュータ技術が重要になる、と述べた。 [→続きを読む]

TI、14/16/18ビット・65/125 MS/sのA-Dコンバータでリアルタイム制御狙う

TI、14/16/18ビット・65/125 MS/sのA-Dコンバータでリアルタイム制御狙う

Texas Instrumentsは、リアルタイム制御を狙ったA-Dコンバータの製品ポートフォリオを広げた。このほど、分解能14ビット、サンプリング速度125MS/sのADC3664から、同18ビット、65MS/sのADC3683など、分解能は14/16/18ビットでサンプリング速度10/65/125 MS(サンプル)/sながら消費電力は71〜100mW/チャネルの製品群ADC3660シリーズを発売した。 [→続きを読む]

Keysight、ミリ波向け最大110GHzまでの信号アナライザをリリース

Keysight、ミリ波向け最大110GHzまでの信号アナライザをリリース

第2世代の5Gシステムや低軌道衛星間通信などこれからのミリ波通信システムを観測するため、最大110GHzまで測定できるミリ波信号アナライザ「N9042B UXA」をKeysight Technologyが開発、発売した。アナライザ本体では最大周波数50GHz、帯域幅4GHzだが、周波数エクステンダ「V3050A」を追加すると110GHzまで測定可能になる。 [→続きを読む]

Micron、将来見据えた176層NANDフラッシュとDRAM製品を出荷

Micron、将来見据えた176層NANDフラッシュとDRAM製品を出荷

Micron Technologyは、昨年最大176層のNANDフラッシュメモリの開発を発表していたが(参考資料12)、このほどComputex Taipei 2021にて、そのチップを搭載したPCIe Gen4 SSDの出荷開始を発表した。加えて、DRAMでは最先端の微細化ノードである1α nmのDDR4x LPDRAMを出荷した。 [→続きを読む]

Infineon、EV向け第2世代のSiCパワーモジュールをサンプル出荷

Infineon、EV向け第2世代のSiCパワーモジュールをサンプル出荷

パワー半導体のトップメーカー、Infineon Technologiesがいよいよ自動車向けのSiCパワーモジュールやトランジスタの生産を本格化させる。それも1200Vへの対応だ。耐圧1200Vであれば、800V系高電圧の電気自動車(EV)にも対応できる。EVのメインドライブとしてSiCへの期待は日本メーカーも大きいが、その本格導入の時期を見計らっている。 [→続きを読む]

ドメインコントローラをTIがEV向けに提案

ドメインコントローラをTIがEV向けに提案

EV向けのドメインコントローラのコンセプト(図1)をTexas Instrumentsが明らかにした。EVには動力となるモータを駆動するインバータだけではなく、DC-DCコンバータ、オンボードチャージャー(OBC)、バッテリ管理システム(BMS)も欠かせない。これらの機能ごとにECUを作るのではなく、ECUをいくつかまとめてドメインとするという考え方だ。 [→続きを読む]

IBM研究所が2nmプロセスで500億トランジスタのICチップを試作

IBM研究所が2nmプロセスで500億トランジスタのICチップを試作

米ニューヨーク州アルバニーにおけるIBM研究所が2nmデザインのナノシート技術を使ったトランジスタを開発、このトランジスタを500億個集積したICテストチップを300mmウェーハ上に試作した(図1)。IBMは、PowerアーキテクチャのCPUを独自に開発しているが、今年後半に7nmプロセスのPower10をリリースするため、2nmチップが登場するのは2025年以降になりそうと見られている。 [→続きを読む]

7nmプロセスで製造したウェーハ規模の巨大なAIチップ

7nmプロセスで製造したウェーハ規模の巨大なAIチップ

ウェーハスケールAIチップ開発のCerebras Systemsは、第2世代のウェーハスケールAIチップを開発した。最初のチップが16nmプロセスで製造されていたが、今回は7nmプロセスで作られており、総トランジスタ数は前回の1兆2000億トランジスタに対して2.6兆トランジスタとほぼ2倍になっている。その分チップ上の性能特性も2倍以上になっている。 [→続きを読む]

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