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Si 1.0をこれまでの微細化とすると、Si 2.0はTSMCが推し進める面積スケーリング、そして、Si 3.0はヘテロプロセッサの集積技術となり、Si 4.0はインテリジェンスが加わる。台湾半導体の論客、Nicky Lu氏が見る未来の半導体は、これまでの総合技術を兼ね備えインテリジェンスを全面に押し出すSi 4.0となる。これは前月末に京都工芸繊維大学で行われたKIT/Symetrix International Symposiumで明らかにしたもの。 [→続きを読む]
Googleは、カスタムSoCの欲しい顧客を集めて設計と製造などをアレンジするという、半導体の民主化サービスを展開しているが、このほど米商務省傘下のNIST（国立標準技術研究所）と業務提携した。カスタムSoCが欲しい研究者やスタートアップが安く入手できるようにする（図1）。 [→続きを読む]
「スマホは、電話であり、コンピュータであり、VR（仮想現実）であり、IoTであり、そしてまたクルマでさえある」（Qualcomm CEOのChristiano Amon氏）。これまでスマホを中心に成長してきた同社のアプリケーションプロセッサSnapdragonはこれからAIのプラットフォームへと拡大する、とAmon氏はIFAの基調講演でこう述べた。 [→続きを読む]
独Siemens社と米Nvidia社が工業用メタバースの実現で6月に提携、このほど日産自動車の電気自動車「アリア」の開発に活かすことで合意に達した。工業用メタバースは、シミュレーションで現実の世界と全く同じものを作り出すデジタルツインをよりビジュアルにする技術。ゲームやテレコンファレンスでのメタバースとは全く違う。製品開発期間の短縮に威力を発揮する。 [→続きを読む]
米中西部にある12の大学・研究所がネットワークを組み、半導体人材を育成するという計画を発表した。Intelがオハイオ州に200億円を投資してメガファブを作る計画は1月に発表（参考資料1）、7月には米国のファウンドリSkyWaterがインディアナ州のパデュー大学構内に半導体工場を作ることを決めた（参考資料2)。米中西部が半導体で盛り上がっている。 [→続きを読む]
SiCデバイスがようやく立ち上がってきた。米onsemiがニューハンプシャー州ハドソンにSiC結晶ブール（Siのインゴット相当）生産の新工場を設立、開所式を行った（図1）。米商務省のジーナ・レモンド国務長官も出席するという力の入れようだった。また、GaNデバイス市場で最大手のNavitasがSiCメーカーのGeneSiC Semiconductorを買収した。 [→続きを読む]
ライセンスフリーのRISC-VコアをSoCやマイコンなどに使いやすいレベルに上げ、すぐに付けるようなIPコアを提供する米SiFiveが日本にオフィスを開くことを決めた。すでに日本法人は設立されており、SiFive Japanの代表取締役社長は、元ザイリンクスジャパンのSam Rogan氏（図1）。都内に物件を探している。 [→続きを読む]
半導体製造が弱体化していた米国でファウンドリビジネスが前向きに動き出した。Intelのファウンドリ部門が台湾MediTekにファウンドリサービスを提供することで合意した。米ミネソタ州のSkyWater Technologyがインディアナ州、Purdue（パデュー）大学と共同で半導体製造工場を建設する。GlobalFoundriesはSTMicroelectronicsと共同でFD-SOI新工場をクロルに設立することで合意した。 [→続きを読む]
LTEや5G基地局向けの通信機器メーカーであるNokiaが独自のシリコンチップを開発していることをすでに報じていたが（参考資料1）、独自チップをさらに高集積化・微細化を進めることが明らかになった。通信機器は重く20〜30kgもあるが、独自チップを使うともっと大容量で、もっと軽くなる。独自チップで通信機器を進化させることが同社の狙い。 [→続きを読む]
IBM Researchは、東京エレクトロンとパートナーシップを結び、米ニューヨーク州のアルバニーにおいて共同で300mmウェーハ同士を接着するための3D-ICスタック技術を開発したとブログで明らかにした。3D-ICは、TSV（through silicon via）技術で2枚以上のウェーハ同士を接続して3次元的に集積する技術。薄いウェーハを容易に取り扱えるようにした。 [→続きを読む]
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