フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]
EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]
EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]
米オバマ政権が大脳研究に挑む。「ブレーン・イニシアティブ（Brain Initiative）」である。この結果、筆者が期待する成果の一つは、新しいアーキテクチャを使った大脳の考え方に近い思考プロセスを踏む半導体プロセッサの設計・試作だ。このことは本稿の最後で述べて見たい。 [→続きを読む]
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量産品を出荷しており、その量産規模拡大を進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち上げに狙いを絞っていることを明らかにした(図1)。 [→続きを読む]
パソコンからモバイルへの動きが加速している。先週のニュースはこの動きを見事に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基板、モバイル通信インフラ、全てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→続きを読む]
昨年、2012年のmicroprocessor(MPU)販売高ランキングがIC Insights社から発表され、これまでのインテルおよびAMDのx86アーキテクチャー圧倒的2強にARMモバイル勢が迫っていたのが、ついにQualcommおよびApple向けを担うSamsungの2社がAMDを追い抜く結果となっている。とはいっても、依然桁違いに抜きん出ているインテルであり、AMDともども今後のパソコンの方向性に向けて新たな路線の打ち上げが見られている。長らく半導体の最大応用分野を維持しているパソコンに対する今後の市場の反応に注目である。 [→続きを読む]
日本製半導体・FPD製造装置が好調さを持続している。このほどSEAJ（日本半導体製造装置協会）が発表した、4月の受注額・販売額・B/Bレシオのデータでは、受注額が増え続け、先月予想した通り、B/Bレシオは共に1.00を超え好調を維持している。 [→続きを読む]
EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
スマートフォンやタブレットに使われるアプリケーションプロセッサは、これまでロジックに分類されることが多かった。マイクロプロセッサのジャンルにそれを含めると、世界のマイクロプロセッサのランキングは大きく変動した。1位のインテルは変わらないが、2位にはAMDではなくクアルコムが入り、3位サムスン電子、4位にやっとAMDという順序だった。これはIC Insightsが調べたもの。 [→続きを読む]
