日本の半導体製造装置産業は本当に強いのか?不都合な真実!
経済産業省は、「日本の半導体産業は30年以上にわたり凋落してきたが、これに対して日本の半導体製造装置メーカーや材料メーカーは、世界市場で圧倒的なシェアを有しており、半導体製造サプライチェーンにおいて不可欠な存在となっている」と半導体・デジタル産業戦略検討会議資料の最新版（2023年5月30日付）でも述べており、多くの人たちもそのように信じてきた。果たしてそうだろうか。 [→続きを読む]
服部毅のエンジニア論点
検証が必要な国策2nmファウンドリRapidus社の技術戦略
ベルギーimecの年次イベント「ITF World 2023」が2023年5月16〜17日、同国アントワープにあるベルギー最大のエリザベスホールに約2千名の参加者を得て開催された。そこで、2nmロジック国策ファウンドリとして2022年に設立されたRapidus社の 小池淳義社長（図1）が、「Scaling Moonshot (微細化に向けた挑戦的な大きな計画)―半導体技術および製造革新を通して人類の真の繁栄を探る旅」という壮大なタイトルで、Rapidusの技術戦略を初めて明らかにした（参考資料1）。 [→続きを読む]
海外半導体企業7社が岸田首相に伝えた日本への前向きな投資内容とは？
去る5月18日、岸田文雄首相は、海外からの人材・資金の呼び込みや投資を促進するため、米国や欧州、韓国、台湾の半導体関連の主要企業7社のトップを首相官邸に呼び、意見交換会と称する会合を開催した。 [→続きを読む]
中国恐るべし！中国はスパコンに続き先端EUV露光装置も自主開発か？
国家安全保障の観点から中国の半導体産業の台頭を抑えたい米国政府は、ASMLがEUV露光装置を中国に輸出せぬように、2018年以降、オランダ政府に強く働きかけてきた。このため、中国最大のファウンドリであるSMICは、それ以前に注文していたEUV露光装置を未だに入手できていない。それだけではなく、韓SK hynixも中国無錫での先端DRAMの製造をあきらめざるを得なくなっている。 [→続きを読む]
対中半導体輸出規制強化の元でIntelが強かに中国事業を強化するのはなぜ？
米国政府は、2022年10月に先端半導体関連技術の中国への輸出規制を強化することを発表した。ロジック半導体に関しては、16/14nm以下のトランジスタ構造（つまりFinFETまたはGAA）を備えたチップおよびその製造に使用される装置を規制対象とした。日本も域外規制の対象となっている（参考資料1）。 [→続きを読む]
「ムーアの法則」秘話：Gordon Moore死すともムーアの法則は死せず
米Intelは、3月24日（米国時間）、同社の共同創設者で、「ムーアの法則」の提唱者として知られるGordon Moore氏が94 才で亡くなったと発表した。その日のうちに世界中の半導体関係者から哀悼の辞が多数寄せられた（参考資料1）。 [→続きを読む]
2022年世界半導体企業売上高ランキングで日本勢トップ3は16〜18位に
英国に本拠を置く市場調査会社OMDIAは、自社のウエブサイト上で「2022年世界半導体企業の売上高ランキングトップ10」（参考資料1、2）を発表したが、日本企業は含まれていなかった。トップ15まで枠を広げても日本企業の名は出てこない。そこで、本稿著者が、OMDIAに取材して独自にトップ20まで枠を広げたランキングを入手したところ、やっと日本勢トップ3が団子状態で16〜18位に登場した。（表1）。 [→続きを読む]
TSMC熊本に次ぐ2番目の半導体工場建設は日本政府の補助金次第
台湾TSMCのCEOである魏哲家（C.C. Wei）氏（図1）は、2023年1月に開催された2022年第4四半期の決算説明会の最後に、同社の顧客の信頼を高め、同社が成⻑するための「世界的製造フットプリント拡⼤計画」を発表した。 [→続きを読む]
トランジスタ発明秘話：75年前のクリスマスイブに････
今からちょうど75年前の1947年（昭和22年）の暮れも押し迫った12月23日火曜日の午後のこと、米国ニュージャージー州マレーヒルのベル電話研究所（注1）で2人の研究者、バーディーン（J. Bardeen）とブラッテン（W. H. Brattain）（図1奥の2人））は、発明したばかりの（正確には、信号増幅作用を発見したばかりの）点接触型トランジスタを研究所の幹部にみせていた。もっとも、これが、「トランジスタ」と命名されたのはずっと後のことであるが（注2）。
[→続きを読む]
EUV露光装置の日本国内設置に高圧ガス保安法のカベ？
先端半導体開発および製造に必須のEUV露光技術は、ロジックデバイスについては、台TSMC、韓Samsungともに7nmプロセスから、DRAMに関しては、Samsung、韓SK hynixとも10-nm台の4世代目にあたる1α（あるいは1Aとも呼ばれる。最小線幅15nm前後といわれている）DRAMから採用を始めている。 [→続きを読む]
