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半導体製造プロセスにおいてソフトウエアが大きな存在を占めるようになってきた。AEC/APC Symposium Asia 2013では、価値ある解析とイノベーティブな計測制御技術をテーマとする。製造プロセスに結果を予測するアルゴリズムを装置内に組み入れ、バラつきの少ないプロセスを作り出すことが狙いである。VM（Virtual Metrology)と呼ぶ仮想測定技術が今回注目される。 [→続きを読む]
半導体回路の国際会議ではずっと前からISSCC（International Solid-State Circuits Conference）が誰もが応募して技術力を示したい発表の場であるが、最近はアジアのプレゼンスの高まりと共にA-SSCC（Asian Solid-State Circuits Conference）もエンジニアにとって権威のある国際会議になりつつある。 [→続きを読む]
21回を迎えたISSMと、台湾TSIA主催のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、台湾、新竹市のAmbassador Hsinchu Hotelにて開催され、260名の参加者が集った。会場はTSMCを中心とした台湾の若いエンジニアが全体の8割以上を占め、活気溢れる会合であった。 [→続きを読む]
ミニマルファブのプロジェクトが組織化され、昨年12月のセミコンジャパンにおいて初めて装置のモックアップが展示された。今どこまで進展したのか。その第1回の報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東京品川で開催された。 [→続きを読む]
フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]
EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]
EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]
