セミコンポータル
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会議報告

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EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]
EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター(EIDEC)が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]
株式会社セミコンダクタポータル(委託) 2009年3月発行
日本半導体産業は、国内外に渉る企業・事業の再編が喫緊課題となり、海外勢と同様に厳しい状況にある。しかし、異常な競争環境であるからこそ、人材蓄積を活かした、日本発LSIが世界に挑戦する好機でもある。 [→続きを読む]
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