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技術分析(半導体製品)

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Intel/MicronがNAND関係を再強化、4ビット/セルの64層を製品認定

Intel/MicronがNAND関係を再強化、4ビット/セルの64層を製品認定

IntelとMicronが3D-NANDフラッシュをそれぞれが独自に開発と販売を進めるとしたのはほんの数カ月前。このほど再び共同開発することを表明した。それも4ビット/セルで96層の3D-NANDの開発である。単位面積当たりのビット密度は最も高い競争力のあるチップとなる。 [→続きを読む]

Nvidia、ディープラーニングの総合力を見せつける

Nvidia、ディープラーニングの総合力を見せつける

Nvidiaは単なるファブレス半導体メーカーにとどまっていない。AI(ディープラーニング)やHPC(高性能コンピューティング)のマシンを設計するコンピュータメーカーでもある。最強のGPUであるTesla V100(図1)を使いこなす。AIでは学習だけではなく推論用にGPUを動かすための推論ソフトウエアTensorRTの新バージョンも開発した。自動運転用プラットフォーム、IoT用の推論アクセラレータも提供する。こんな姿が浮かび上がる。 [→続きを読む]

量産前夜のSiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設

量産前夜のSiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設

ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV(電気自動車)用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場(図1)にSiCデバイスの6インチラインを増設する。 [→続きを読む]

ルネサスの28nmフラッシュマイコン、自動運転向け制御へ

ルネサスの28nmフラッシュマイコン、自動運転向け制御へ

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス規制/低燃費に対応し、コネクテッドカー向けのセキュリティと大容量フラッシュメモリ容量、そして機能安全のASIL-Dに準拠し自動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設計したフラッシュマイコン。 [→続きを読む]

組み込みMRAMを今年末にファウンドリ2社が生産開始

組み込みMRAMを今年末にファウンドリ2社が生産開始

磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今年末から一気に加速しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ部門と、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018年末に組み込みMRAM(eMRAM)のリスクプロダクションを開始すると東北大学主催のCIES(Center for Innovative Integrated Electronic Systems)Technology Forumで発表した。 [→続きを読む]

Qualcomm、家庭内機器をセキュアなWi-Fi Meshで何台でもつなぐ戦略

Qualcomm、家庭内機器をセキュアなWi-Fi Meshで何台でもつなぐ戦略

家庭内のWi-Fi機器が数十台もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに力を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON技術も開発した。 [→続きを読む]

インテリジェントカーが事故を減らす−カーエレ展から(後編)

インテリジェントカーが事故を減らす−カーエレ展から(後編)

クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの市場としてもカーエレクトロニクス市場は大きい。ヘッドランプ/テールランプ用LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも活躍する。パワー関係もいくつか拾ってみる。 [→続きを読む]

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採用

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採用

Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4種類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮遊ゲート型のメモリセル構造を持つ。東芝やSamsungがMNOS構造を採用したのとは対照的。SSDとしての工夫も多い。 [→続きを読む]

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

TSV(Through Silicon Via)を使い、シリコンチップを積み重ねて配線電極を貫通させる3次元ICは、TSV工程のコスト高が問題でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み重ねた3次元ICであるHBM(High Bandwidth Memory)は、ハイエンドのHPC(High Performance Computing)分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルに降りてきた。 [→続きを読む]

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