Infineon、SiC戦略転換、MOSFETで低コスト化狙う

Infineon TechnologiesがSiC戦略を大きく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる方針を明らかにした。耐圧1200Vでオン抵抗11mΩ〜45mΩの製品、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社を買収、SiC材料を手に入れ、SiCとGaN製品(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡大できる体制を整えた。 [→続きを読む]
Infineon TechnologiesがSiC戦略を大きく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる方針を明らかにした。耐圧1200Vでオン抵抗11mΩ〜45mΩの製品、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社を買収、SiC材料を手に入れ、SiCとGaN製品(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡大できる体制を整えた。 [→続きを読む]
7月18日月曜日のお昼に何気なくFacebookを見ていたらBBCニュースでARMのソフトバンクによる買収のニュースが流れた。240億ポンドで買収するという。3兆3000億円程度の巨大な金額である。BBCニュースが流れた後で、同日の夕方、ソフトバンクは英国で記者会見を開いた。なぜソフトバンクはARMを買収するのか。 [→続きを読む]
米市場調査会社のIC Insightsは、スマートフォンを含む携帯電話向けのIC市場が2019年までに年平均成長率CAGR 6.7%で成長していくという予測を発表した。携帯電話そのものの伸びは鈍化する傾向にあるが、ICは成長していく。電話の台数や売り上げ以上に部品の伸びは大きい。ある程度在庫を置かなければならないからだ。 [→続きを読む]
2016年6月にルネサスの代表取締役社長兼CEO(最高経営責任者)に就任した呉文精氏。呉氏は、経営を業務とする道を2003年以来歩んできた。GEフリートサービスで代表取締役社長を経験した後、2008年にカルソニックカンセイの社長、そして2013年日本電産の副社長を経て、今年ルネサスのトップに就いた。ルネサスをどう引っ張っていくか、語った。 [→続きを読む]
National Instrumentsは、帯域幅1GHzと広い無線通信の設計・テストを行う第2世代のVST(ベクトル信号トランシーバ)測定器「NI PXIe-5840」を発売する。帯域幅が広いため、第5世代の携帯通信(5G)やIEEE802.11ac/axに準拠するデバイスのテストなどRFトランシーバやチップをテストする。 [→続きを読む]
小松製作所の100%子会社であるギガフォトンは、EUVリソグラフィの実用化レベルに近い出力250WのEUV光源を開発したと7月6日発表した。EUVは今やオランダのASMLしか手掛けておらず、同社が微細化技術を先行している。先週は久しぶりにリソグラフィ装置の発表があり、キヤノンが半導体向けのリソグラフィ装置を2機、発表した。 [→続きを読む]
Rick Shen氏、eMemory Technology Inc., President メモリIPベンダーである台湾のeMemory社。これまでも日本の顧客とは付き合いが長い。東芝やルネサスエレクトロニクスをはじめとする多くの半導体メーカー取引してきた。最近、メモリIPを使ったセキュリティ分野にも進出(参考資料1)、来日した同社社長のRick Shen氏にセキュリティ市場、IoT、VR(仮想現実)など新トレンドを聞いた。 [→続きを読む]
台湾の市場調査会社TrendForceのメモリ部門DRAMeXchangeは、2014年10月から続いてきたDRAM価格の下落は6月に入って止まり、底に来たようだと伝えた。第3四半期には上昇に転じると見ている。 [→続きを読む]
ルネサスは、IoTデバイスに使うマイコン内部に暗号化キーを格納するIPを開発、それをマイコンに集積しセキュアに守るという仕組みを導入した(図1)。このマイコンRX231は、センサ機能を持つIoTデバイスをサイバー攻撃から守ることができる。 [→続きを読む]
2016年6月に最もよく読まれた記事は、「東芝、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント」であった。これは6月3日に日本経済新聞が取り上げた、ナノインプリント技術を使ってNANDフラッシュを開発する、というニュースを解説したもの。 [→続きを読む]
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