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TI、GaN-on-Si技術でドライバと保護回路を集積したパワーICを製品化

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Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバ回路や保護回路を集積した製品を発売した(参考資料1)。電気自動車(EV)のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば従来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすような大電力用途ではない。



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