TSV（Through Silicon Via）を使い、シリコンチップを積み重ねて配線電極を貫通させる3次元ICは、TSV工程のコスト高が問題でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み重ねた3次元ICであるHBM（High Bandwidth Memory）は、ハイエンドのHPC（High Performance Computing）分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルに降りてきた。 [→続きを読む]
2017年のファブレス半導体トップ10社ランキングを米調査会社のIC Insightsが発表した。これによると、昨年に続き1位のQualcommは前年比11%増の170億7800万ドルとなった。2位はBroadcomで、同16%増の160億6500万ドルである。昨年からの大型買収では2位のBroadcomが1位のQualcommに買収提案を仕掛けた。 [→続きを読む]
2017年12月に最もよく読まれた記事は、「東芝の電子デバイスは中長期売上1兆円を狙う〜新生東芝の主要事業」であった。これは東芝の半導体部門がNANDフラッシュメモリとそれ以外の半導体部門に分かれたことで将来を東芝デバイス&ストレージ社の代表取締役社長福地浩志氏の講演を元に報じた記事である。 [→続きを読む]
年明け早々、Microsoftは、IntelやAMD、ARMなどのCPUにセキュリティ上のバグがあることを公表した。メルトダウン（Meltdown）およびスペクター（Spectre）と呼ばれる二つのバグはこれまで20年間に製造されたCPUに影響を及ぼす恐れがあるという。Microsoftは最新パッチをインストールすることで対策を打てるとしている。 [→続きを読む]
フランスの半導体IPベンチャーのeVaderis社は、組み込みMRAMのIPを開発、それを集積したマイクロコントローラ（マイコン）をスロベニアのBeyond Semiconductorが設計、このほどテープアウトを終えた。IoTやウェアラブルのような低消費電力用途を狙う。 [→続きを読む]
明けましておめでとうございます。今年も週間ニュース分析をよろしくお願いします。 昨年末から正月三が日にかけて、IT/エレクトロニクスではさほど大きな事件もなく平和な日々を過ごした。2018年の展望というより、もう少し3〜5年後の中長期的な展望に関する記事が多く見られた。 [→続きを読む]
中国の半導体は、メモリとファウンドリ、そしてファブレスが主力になりそうだ。これはSEMICONジャパン2017でのセミナーで中国市場を調査したSEMI台湾のClark Treng氏が示したもの。メモリはDRAMと3D-NANDフラッシュが主力となる。中国地場企業だけではなく外国企業の投資による設備投資も増加している。 [→続きを読む]
Intelは、バンド幅が512Gバイト/秒と極めて広いHBM2（High Bandwidth Memory）を搭載したFPGA「Stratix 10 MX」の販売を開始した。HBMはTSV（Through Silicon Via）を使って、DRAMメモリアレイチップを縦に重ねた構造を持つ高密度メモリ。大量のデータを一気に流す用途に適している。 [→続きを読む]
AIは本格的に浸透しそうだ。産業技術総合研究所はAI専用の大型スーパーコンピュータの運用を2018年4月にも開始、富士通はMicrosoftと共同で、AIを組み込んだ働き方改革ソリューションを開発する。AI学会NIPS（Neural Information Processing Systems）を舞台に人材獲得合戦が激しさを増している。半導体分野では設備投資が進んでいる。 [→続きを読む]
師走に代表的なプロセッサメーカーのイベントが続々開かれた。後半では、IoTの未来をQualcomm、Arm、そして無料のCPUコア、RISC-Vの動きを紹介する。QualcommはIoTの未来を単なるコネクティビティから賢さとセキュリティも加わるとし、Armはセキュアフレームワークを紹介した。無料のCPUコアRISC-Vのツールも揃いつつある。 [→続きを読む]
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