セミコンポータル
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寄稿

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第2章:ディープ・ニューラルネットワークのニューロチップへの実装〜その勘所は!! この第2章の最後に当たる2-3では、ニューラルネットワークをチップに実装する場合のメモリの規模がどの程度になるか、さらにメモリ規模を減らすための工夫などを紹介する。(セミコンポータル編集室) [→続きを読む]
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第2章:ディープ・ニューラルネットワークのニューロチップへの実装〜その勘所は!! 第2章では、ニューラルネットワークの代表的な技術としてCNN(畳み込みニューラルネットワーク)をまず紹介し、ディープ・ニューラルネットワークの全容を解説した(ニューロチップ概説〜いよいよ半導体の出番(2-1)参照。この第2章の2-2では、それを受けてCNNのモデルの進化を紹介し、半導体チップに落とすための勘所を解説する。(セミコンポータル編集室) [→続きを読む]
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第2章:ディープ・ニューラルネットワークのニューロチップへの実装〜その勘所は!!

この第2章は、人工知能(AI)の代表的な応用である画像認識によく使われているCNN (Convolutional Neural Network:: 畳み込みニューラルネットワーク)を紹介し、LSI化する場合に必要な演算を軽くするためのテクノロジーを中心に解説している。第2章は3部に分けて掲載する。最初となる2-1は、CNNの基本構成を紹介している。(セミコンポータル編集室)

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半導体製造プロセスにおけるノウハウをサイエンスにしようというコンセプトで始めたISSM(International Symposium of Semiconductor Manufacturing)。日本の半導体メーカーはファブライトへ転換し、重要な半導体製造の力を弱めてきた。米国ではファブレスのQualcommでさえ、半導体プロセスの技術責任者を置き、その重要性を認識している。ISSMの情報発信タスクフォースはISSMを再定義し始めた。ここに日本復活のカギがある。(セミコンポータル編集室) 著者:前川 耕司、PDF Solutions, Vice president, Japan business development, ISSM 運営委員、AEC/APC Japan 運営委員副委員長 [→続きを読む]
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第1章「ニューロチップを取り巻く概況〜いよいよ半導体の出番(1-1)」では、これまでのアルゴリズムの進化や半導体チップが登場する背景について紹介したが、後半ではニューロチップの技術の流れについて紹介する。この寄稿は、元東芝の半導体エンジニアであり、元半導体理工学研究センター(STARC)にも在籍していた百瀬啓氏がニューロチップの現状を語っている。(セミコンポータル編集室)

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クラウド利用のIoTシステムの進展と、ビッグデータ解析、Google検索などから人工知能(Artificial Intelligence)やコグニティブコンピューティングが注目されるようになってきた。学習機能を持つ人工知能ではニューラルネットワークのモデルで学習機能(ディープラーニング)を実現している。AIのカギとなるニューラルネットワークのアーキテクチャはもちろん、シリコン半導体上に実現する。この寄稿では、元半導体理工学研究センター(STARC)/東芝の半導体エンジニアであった百瀬啓氏がニューロチップについて解説する。(セミコンポータル編集室)

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AlteraのCEO兼会長であるJohn Daane氏(図1)が2015年の産業界を展望する。やはり大きな動きとしてIoT(Internet of Things)を採り上げている。FPGAメーカーがIoT分野で力を発揮できるのは、センサとも言われるIoT端末を束ねてインターネットへデータを送信するゲートウェイよりも上のレイヤー、すなわちクラウドの世界である。FPGAはクラウドの中心である、データセンターとネットワークを進展させるドライバとなる (セミコンポータル編集室)。 著者:John Daane , CEO and Chairman, Altera Corp [→続きを読む]
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Analog Devicesが周波数70MHzから6GHzまでカバーできる広帯域の高周波(RF)チューナ用ICを開発した。ベースバンドモデムでのソフトウエア無線(SDR: software defined radio)をサポートするため、この周波数内のさまざまな異なる周波数帯域の無線通信機器に1個のRFチューナで対応できるようにした。同社の狙い、システムを紹介する。(セミコンポータル編集室) 著者:Duncan Bosworth, Segment Marketing Engineer, Aerospace and Defense Segment, Analog Devices, Inc. [→続きを読む]
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ドイツのインフィニオン社は、SiCトランジスタの一種であるJFETを2012年はじめには商品化する予定だ。MOSFETとは違い、JFETはSiCのバルクを電流が流れるデバイスであるため表面欠陥の影響を受けない。しかしノーマリオン動作になる。このためpチャンネルMOSFETをソースにつなぐカスコードライト接続により実質的にノーマリオフ動作ができる。後編は電気特性や99%を超すインバータについて述べている。(セミコンポータル) [→続きを読む]
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SiCトランジスタの初めての商品を紹介する。ドイツのインフィニオンが開発したこのJFET(接合型電界効果トランジスタ)はMOSFETに先駆け、世に出ることになる。この記事はドイツの英文雑誌Bodo’s Power Systemsに掲載されたものである。セミコンポータルはBodo Arlt編集発行人とインフィニオン社から翻訳掲載の許可を得た。長文のため2回に分けて連載する。今回は第1回目である。(セミコンポータル) [→続きを読む]

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