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最初の商品SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−前編

2011年8月18日 | 寄稿（半導体製品）
最初の商品SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−前編
SiCトランジスタの初めての商品を紹介する。ドイツのインフィニオンが開発したこのJFET（接合型電界効果トランジスタ）はMOSFETに先駆け、世に出ることになる。この記事はドイツの英文雑誌Bodo’s Power Systemsに掲載されたものである。セミコンポータルはBodo Arlt編集発行人とインフィニオン社から翻訳掲載の許可を得た。長文のため2回に分けて連載する。今回は第1回目である。(セミコンポータル) [→続きを読む]
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