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最初の商品SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後編

最初の商品SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後編

ドイツのインフィニオン社は、SiCトランジスタの一種であるJFETを2012年はじめには商品化する予定だ。MOSFETとは違い、JFETはSiCのバルクを電流が流れるデバイスであるため表面欠陥の影響を受けない。しかしノーマリオン動作になる。このためpチャンネルMOSFETをソースにつなぐカスコードライト接続により実質的にノーマリオフ動作ができる。後編は電気特性や99%を超すインバータについて述べている。(セミコンポータル) [→続きを読む]

最初の商品SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−前編

最初の商品SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−前編

SiCトランジスタの初めての商品を紹介する。ドイツのインフィニオンが開発したこのJFET(接合型電界効果トランジスタ)はMOSFETに先駆け、世に出ることになる。この記事はドイツの英文雑誌Bodo’s Power Systemsに掲載されたものである。セミコンポータルはBodo Arlt編集発行人とインフィニオン社から翻訳掲載の許可を得た。長文のため2回に分けて連載する。今回は第1回目である。(セミコンポータル) [→続きを読む]

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