Semiconductor Portal

2014年2月

» 2014年2月

<<前のページ 1 | 2 | 3 次のページ »

新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命名

新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命名

LEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)が2013 IEDM(International Electron Devices Meeting)で発表した新しい相変化メモリ(参考資料1)は、TRAM(Topological switching RAM)と名付けることが決まった。GeTe/Sb2Te3超格子の中のGeの移動だけで低抵抗と高抵抗をスイッチングする。このカルコゲン材料による超格子を、トポロジカル絶縁体と物性物理学の世界で呼んでいる。 [→続きを読む]

ビジネス最前線、最先端技術の凌ぎ合い −スマホ市場、ISSCC

ビジネス最前線、最先端技術の凌ぎ合い −スマホ市場、ISSCC

スマートフォン、アップル対応がやはり大きなビジネスの動きとして見えている一方、第61回を迎えるという「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2014」のテーマは"SILICON SYSTEMS BRIDGING THE CLOUD"とやはりその先を行く表現となっている。IBMの半導体売却の動きに代表される直近の製造切り離しの流れのなか、Intel、Samsung、TSMCはじめ残るIDM、ファウンドリーの間での最先端技術へのアプローチ、そしてビジネス最前線の対応の動きに注目するこの時期ではある。 [→続きを読む]

こんなウエアラブル端末は欲しくない

こんなウエアラブル端末は欲しくない

米国ラスベガスで1月7日から10日まで開かれた2014 International CESでは、スマートフォンのコモデティ化も見られ、新しいジャンルとしてウエアラブルデバイス(Wearable device)が注目されて多くの展示があった。多くの場合、ウエアラブルデバイスはスマートフォンとワイアレスで連動する形で提案されている。形態的にはスマートウオッチ(腕時計型)、リストバンド型、スマートグラス(ARメガネ)、衣服や体に装着するものなどが展示された。 [→続きを読む]

ルネサス、4四半期連続、営業黒字を拡大中

ルネサス、4四半期連続、営業黒字を拡大中

先週はエレクトロニクス、半導体などの企業の決算が続々発表された。ソニーやパナソニック、シャープなどは、リストラによって工場や人員を削減した効果が出てきている。この結果、黒字への転換を達成したものの、今後の成長に向けた施策は抽象的な段階からはまだ脱し切れていない。ルネサスは4四半期連続営業黒字の拡大を続けている。 [→続きを読む]

2013年半導体グローバル販売高、やっとのこと$300 billionの壁突破

2013年半導体グローバル販売高、やっとのこと$300 billionの壁突破

米Semiconductor Industry Association(SIA)から月次世界半導体販売高が発表され、今回は2013年12月、そして2013年の年間データである。2013年全体では$305.6 billionと、このデータで初めて$300 billionを越える結果となっている。大きく伸びた2010年の$298.32 billionからの足踏み状態からの脱却ではあるが、パソコンからスマホ、タブレットに急激に移行している中、牽引する新興経済圏でのGDP成長率鈍化、乱立競合模様があって、本年も$300 billion越えが安定するかどうか、予断を許さないところがある。 [→続きを読む]

実用化に向かい邁進する、スピントルク型メモリ

実用化に向かい邁進する、スピントルク型メモリ

東北大学の佐藤ら(敬称略)は電子スピンに情報を記憶させる新しいメモリ技術を開発し、米国ワシントンD.Cで2013年12月開催された国際学会IEDM(International Electron Devices Meeting)において発表したと、12月10日の日本経済新聞は報じた。スピンは直観的に電子の回転になぞらえることができるので、上向きのスピンに例えば”1”を割り付け、下向きのスピンに”0”を割り付けることが可能になる。 [→続きを読む]

<<前のページ 1 | 2 | 3 次のページ »