2007年12月14日
|技術分析
組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと呼ぶ周辺LSI「Antioch」を米Cypress Semiconductor社が昨年発売したが、このほど携帯機器への組み込みシステムを意識し、多ビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを強化した周辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。
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2007年12月13日
|技術分析
米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。
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2007年12月13日
|津田建二の取材手帳
ベンチャー企業という言葉の英語が見当たらない。アメリカ人にVenture companyあるいはVenture corporationというと、ベンチャーキャピタルのことか、と聞き返される。VCといえばもちろん、ベンチャーキャピタルを意味するが、単にベンチャー(venture)と言ってもベンチャーキャピタルを指すことが多い。
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2007年12月13日
|技術分析
Credence Systems社は、オーディオとビデオ回路を搭載したLSI向けのテスター用モジュールMultiWaveインスツルメントを製品化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ回路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと測定テストプラットフォームを展示した。
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2007年12月12日
|技術分析
炭素原子がサッカーボール状に構成されているフラーレンC60が、半導体プロセスに威力を発揮しそうになってきた。三菱商事、三菱化学などが出資するフロンティアカーボン社は、フラーレンを添加した電子ビームレジストがパターンを加工できることを実証した。
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2007年12月12日
|技術分析
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。
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2007年12月11日
|産業分析
米国の半導体コンソシアムSEMATECHの関連会社の一つで試作ファウンドリのATDF社と、Cypress Semiconductor 社から2007年3月にスピンオフして独立した試作ファウンドリになったSVTC Technologies社が合弁し、一つの大きな試作専門ファウンドリ企業を形成することになった。
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2007年12月11日
|技術分析
ALD(原子層堆積)技術の応用が大量生産のDRAMから少量生産のロジックへと広がりつつある。米Aviza Technology社は、国内大手ロジックメーカーからCelsior FXP枚様式のALD装置を受注したと発表した。セミコンジャパン2007で、その詳細を明らかにした。
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2007年12月11日
|湯之上隆の視点
同志社大学 ITEC研究センター COEフェロー
長岡技術科学大学 極限センター 客員教授 湯之上隆
半導体の微細化が止まるかもしれない(注1)。もし、止まったらどうなるのだろう。半導体装置メーカーはどうなる?半導体デバイスメーカーはどうなる?デバイスを中核部品にすえるPC、携帯電話、デジタル家電、クルマ等のセットはどうなる?これらセットを使うユーザー、つまり私も含めた人類の未来はどうなるのだろう?(注2)
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2007年12月10日
|週間ニュース分析
この週は、大容量磁気記録技術と、セミコンジャパン開幕に合わせて新しい半導体製造装置、さらにテレビとチューナの分離による壁掛けテレビ応用の3つの話題が目立った。
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