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2007年12月

» 2007年12月

NANDフラッシュを16個管理する携帯機器向け周辺チップをCypressが開発

NANDフラッシュを16個管理する携帯機器向け周辺チップをCypressが開発

組み込みシステムの周辺チップであるウェストブリッジと呼ぶ周辺LSI「Antioch」を米Cypress Semiconductor社が昨年発売したが、このほど携帯機器への組み込みシステムを意識し、多ビット/セルのNANDフラッシュを16チップサポートし、SD/MMICカードのサポートやSDインタフェースなどを強化した周辺チップ「Astoria」を開発、サンプル出荷した。 [→続きを読む]

加速電圧の広いイオン注入装置をAxcelisが開発

加速電圧の広いイオン注入装置をAxcelisが開発

米Axcelis Technologies社は、加速エネルギー範囲が500eVから4MeVと広いイオン注入装置Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加速エネルギーを必要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。 [→続きを読む]

通じない和製発音の英語と日本語表記

通じない和製発音の英語と日本語表記

ベンチャー企業という言葉の英語が見当たらない。アメリカ人にVenture companyあるいはVenture corporationというと、ベンチャーキャピタルのことか、と聞き返される。VCといえばもちろん、ベンチャーキャピタルを意味するが、単にベンチャー(venture)と言ってもベンチャーキャピタルを指すことが多い。 [→続きを読む]

Credence社がオーディオ/ビデオ共存回路のテスターモジュールを製品化

Credence社がオーディオ/ビデオ共存回路のテスターモジュールを製品化

Credence Systems社は、オーディオとビデオ回路を搭載したLSI向けのテスター用モジュールMultiWaveインスツルメントを製品化した。このモジュールをテスターのプラットフォームDiamondに組み込むと4つの独立した、オーディオとビデオ回路搭載LSIデバイスを同時にテストできる。セミコンジャパン2007で、このモジュールと測定テストプラットフォームを展示した。 [→続きを読む]

Mears社の超格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低減

Mears社の超格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低減

シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。 [→続きを読む]

ASML社の強さの秘訣

ASML社の強さの秘訣

同志社大学 ITEC研究センター COEフェロー 長岡技術科学大学 極限センター 客員教授 湯之上隆  半導体の微細化が止まるかもしれない(注1)。もし、止まったらどうなるのだろう。半導体装置メーカーはどうなる?半導体デバイスメーカーはどうなる?デバイスを中核部品にすえるPC、携帯電話、デジタル家電、クルマ等のセットはどうなる?これらセットを使うユーザー、つまり私も含めた人類の未来はどうなるのだろう?(注2) [→続きを読む]

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