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SICAS統計、微細化が底上げ、高い生産稼働率を維持

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SICAS(世界半導体キャパシティ統計)が2008年第2四半期の半導体ウェーハの生産能力と実績、稼働率を発表した。これによると、MOS ICの2008年第2四半期の生産能力は2138.2千枚/週で前四半期から2.9%増、対前年同期比で12.8%増のプラス成長となった。

μm別のMOS生産能力

μm別のMOS実投入数


全体では、0.08μm未満が対前月比23.6%増とプラス成長を続け、微細化が進んでいるといえる。微細化が加速する一方、従来の0.08μm以上については、目立った減少はみられない。これは、従来のデバイスの使われ方の変化、機能の進化など、付加価値を付けることで微細化に頼らず残っているといえる。半導体デバイスは、微細化が全体の底上げをしつつ、新たな付加価値の創造によって今後も成長が続くとみられる。

ウエーハサイズ別のMOS実投入数

ウエーハサイズ別のMOS生産能力


ウェーハサイズ別の生産能力/実投入数でも、さきほどのμm別MOS生産能力/実投入数と同様に、12インチウェーハは順調に伸びている。一方、8インチおよび8インチ未満のウェーハは減少していく訳ではなく、全体を底上げしている。


MOS計


MOS計の生産能力と実投入数の推移をみてみると、稼働率は今四半期の生産稼働率は89.5%で、前期の90.7%から1.2%減少している。3Q07、4Q07、1Q08は3期連続で90%を超えていた。今後の稼動の推移を見守りたい。

(セミコンポータル編集室 山田敦子)

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