会議報告（プレビュー）

ミニマルファブのプロジェクトが組織化され、昨年12月のセミコンジャパンにおいて初めて装置のモックアップが展示された。今どこまで進展したのか。その第1回の報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東京品川で開催された。 [→続きを読む]

フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]

EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]

EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]

日本半導体産業は、国内外に渉る企業・事業の再編が喫緊課題となり、海外勢と同様に厳しい状況にある。しかし、異常な競争環境であるからこそ、人材蓄積を活かした、日本発LSIが世界に挑戦する好機でもある。 [→続きを読む]