新ファブ35工場、2007年に稼動へ、月産能力200万枚

　さらに、2006年の第二四半期に着工した11ファブのうち、8ファブが2007年には稼動することになる。生産能力200万枚は現在の生産能力の17%に匹敵するものである。同社はこの生産能力の増強は、半導体市場の成長をもたらすと同時に、特にメモリ分野における過剰生産のリスクをもたらすことにもなりうると分析している。
　35ファブの新設ファブの今後2−3年の設備投資額は、これからフル稼働にむけて、560億ドルになるとみられる。このうち60%近くの新設ラインはメモリ、特にDRAMはフラッシュメモリに充てられている。
　増設が旺盛なフラッシュメモリでは、Samsung Electronics, Hynix Semiconductor, IM Flash, Powerchip Semiconductor, ProMOS Technologies,　Nanya Technologyがあるが、中でも注目されるのは、Toshiba-SanDisk連合であり、2008年末までに３つの300mmラインを建設する予定。この3ラインはそれぞれ、月産10万枚規模となり、その暁には、Samsungを抜くことになるとの見通しである。
　ファンドリーもまたファブ増設に積極的で、TSMC、SMIC、Hua Hong Electronicsなども2007年には新たな300mmファブを稼動させる予定。
　SMAでは、設備投資額として、2006年は前年比14%増の473億ドル、2007年は10%増の590ドルを見込んでおり、史上最高をマークした、2000年の615億ドルに迫るとの見込みでいる。
　装置市場は2004年以来最高の成長率を見せているものの、一方で、半導体売上は、2006年第一四半期、前期を下回った。しかしSMAでは、第一四半期の下降は、平常のものと考えている。
　SMAでは、2007年に過剰生産の懸念があると見ており、設備投資は2007年の第二四半期にピークを迎えるものと予想している。