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3次元SiPパッケージに台湾が力を入れ始めた

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もともと後工程の強かった台湾の半導体後工程がいよいよSiPをはじめとする先端LSIパッケージに進出する。最大手のASE Group社ジェネラルマネジャー兼チーフR&DオフィサーのHo-Ming Tong氏によると、次世代のSiPを作るためのさまざまな個別技術がそろってきたことによる。

基板にチップを埋め込む技術、基板に抵抗やコンデンサなどの部品を埋め込む技術、ウェーハレベルパッケージング、貫通孔接続、スタックチップ技術、といった新しい実装技術が入手できるようになると、新しい3次元SiPが生まれてくるという。Tong氏は13日朝の基調講演でこのことを述べた。

水平分業型の得意な台湾でIC半導体デバイスのサプライチェーンの統合が進むと、前工程のファウンドリからパッケージ用の基板、システム仕様、パッケージ&テストという一連の流れを新しいコラボレーションでSiPを作るというのだ。もともとASE社は後工程の請負ビジネスをやってきたため、パッケージングとテストはターンキーサービスでできる。これに加えて、部品やチップを埋め込んだ新しい基板、何を1パッケージのチップに集積するかというシステム的な考えが加わる。


新しい3次元SiP


ところが、Tong氏は、垂直統合ならぬ水平統合という言い方を講演中に使っていた。この真意は、「ASEグループは、基板製造からEMSまでものづくりの企業が揃っている。このため、ASEグループの水平的な統合によるオペレーションが可能になる」と自信満々である。

65nmの現在から次の45nmは2008〜2011年にやってくる。このときには貫通孔配線がつかわれるだろうとみており、ASEはこの先端分野に力を入れるというわけだ。このような次世代SIPパッケージを使うと、パッケージの厚さは現在の1.2〜1.4mmよりもさらに薄い1.0〜1.2mmと薄くなるという。携帯電話機本体の厚さも今の14〜15mmから10〜12mmになるとみている。

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