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半導体の進化;微細化から面積スケーリング、ヘテロ集積、その先Si 4.0とは?

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Si 1.0をこれまでの微細化とすると、Si 2.0はTSMCが推し進める面積スケーリング、そして、Si 3.0はヘテロプロセッサの集積技術となり、Si 4.0はインテリジェンスが加わる。台湾半導体の論客、Nicky Lu氏が見る未来の半導体は、これまでの総合技術を兼ね備えインテリジェンスを全面に押し出すSi 4.0となる。これは前月末に京都工芸繊維大学で行われたKIT/Symetrix International Symposiumで明らかにしたもの。



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