EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（2）〜マスク検査
EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]
計測器・検査・検証
EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（1）〜概要
EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]
