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Samsungファウンドリ、3nm量産開始を22年前半、2nmは25年後半と公表

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韓国Samsungのファウンドリ部門が3nmプロセスでGAA(Gate All Around)構造のMOSFETを基本トランジスタとして使うプロセスを2022年上半期までに提供すると発表した。TSMCの基本ロードマップ、さらにIntelも20Åプロセスを発表したのに続き、遅ればせながらSamsungも計画を発表した。



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