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2018年6月

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半導体製造装置メーカー強気の裏に中国の投資計画あり

半導体製造装置メーカー強気の裏に中国の投資計画あり

先週は東京エレクトロンの決算報告があり、半導体製造装置メーカーの好調さが浮き彫りとなった。同社を含む半導体・ディスプレイパネル製造装置大手7社の設備投資額が4割増える見通しだ、と5月30日の日本経済新聞が報じた。一方で、中国の紫光集団は今後10年で1000億ドル(約11兆円)を半導体に投資することを6月1日の日経が伝えた。 [→続きを読む]

激動&活況の中の中国市場の動き:ZTE、DRAM価格、連携、半導体業界

激動&活況の中の中国市場の動き:ZTE、DRAM価格、連携、半導体業界

米朝、米中はじめ激しく動く世界の政治・経済情勢の中で続く世界半導体業界の活況となっているが、とりわけ中国市場が絡む動きに目が離せないところがある。中国の通信機器大手、中興通訊(ZTE)への制裁緩和は、米中通商摩擦交渉の重要懸案の1つであり米中双方の半導体業界にインパクト要因となる。DRAM価格の上昇については、中国政府が抑制に乗り出している。中国のエレクトロニクス&半導体市場での協業、提携がいくつか目についている。そして、自立化を図っている中国の半導体業界の活発な展開の動きが引き続き見られており、そのアップデートである。 [→続きを読む]

Intel、3D-Xpoint技術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し

Intel、3D-Xpoint技術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し

Intelは、データセンターのメモリとストレージの階層構造を見直すべき、新型メモリをサンプル出荷すると発表した。彼らは、CPUに最も近い層では従来のDRAM、次に3D-Xpointメモリを用いたOptaneパーシステントメモリ(図1)、その次に3D-Xpointメモリを用いたSSD、そして3D-NANDのSSDという構成を提案した。サンプル出荷を始めたばかりのパーシステントメモリは、最大512Gバイトのメモリモジュール。 [→続きを読む]

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