iPhone 6s/6s Plusの分解でわかった半導体構成

図1　iPhone 6sのメインロジックボード表面　出典：IFixit

iPhone 6sには、新しいAPU(アプリケーションプロセッサ)のA9と、モーションコプロセッサM9が1パッケージ内に集積されており、その他次のような仕様になっている。ストレージは16/64/128GBの3種類、4.7インチ液晶と表面に3D Touch機能、4Kビデオをサポートする12M画素カメラ、2×2MIMO（multiple input multiple output）付きの802.11a/b/g/n/ac Wi-Fi、Bluetooth 4.2、NFC、23周波数帯のLTEモデム、タプティック（Taptic：触覚（haptic）とタッチ(touch)を合わせた造語）エンジンなどを搭載。

この内、ロジックボードの表面(図1)では、A9はメモリ（Samsungの2GB LPDDR4 DRAM）を抱き合わせたPoP（package-on-package）構造になっており、LTEモデムチップにはQualcommのMDM9635M LTE Cat. 6、センサチップにはiPhone 6と同様InvenSenseのMP67B 6軸ジャイロと加速度センサ、さらにBosch Sensortecの3P7 LA 3軸加速度センサ、 Wi-Fiやモバイルネットワークなどのパワーアンプモジュールとして、TriQuintの TQF6405、Skyworks のSKY77812 、Avago のAFEM-8030を使っている。送信用パワーアンプの消費電力を削減させるために、QualcommのQFE1100エンベロープトラッキングICも搭載している。

このボードの裏面(図2)に搭載されているICチップを列挙する。NANDフラッシュとして東芝の19nmプロセスの16GB、Universal Scientific Industrial の339S00043 Wi-Fi モジュール、NXP の66V10 NFCコントローラ、Apple/Dialog の338S00120 電源IC、Apple/Cirrus Logic の38S00105 オーディオIC、QualcommのPMD9635電源IC、Skyworks SKY77357パワーアンプモジュール、村田製作所の240フロントエンドモジュール、RF Micro DevicesのRF5150アンテナスイッチ、NXPの1610A3、Apple/Cirrus Logicの338S1285オーディオコーデックIC、Texas Instrumentsの 65730AOP電源IC、QualcommのWTR3925RFトランシーバ(送受信回路)、恐らくだがBosch Sensortec の気圧センサモジュール (BMP280)

図2　 iPhone 6sのメインロジックボード裏面　出典：IFixit

iPhone 6s Plusの部品もほとんど6sと同じだが、16GBのフラッシュメモリとして6sの東芝ではなくSK Hynixの製品が搭載されている。また、DDR4 DRAMもSamsungではなくSK Hynix製品が採用されている。

IHSがiPhone 6s Plusの16GBモデルを分解して部品材料コストを見積もった結果、部品コストはiPhone 6sよりも16ドル高く、231.5米ドルだという。さらにアセンブリ・実装・テストのコスト各4.5ドルを追加して、製造部材原価を236ドルと見ている。

新製品6sの特長として、3D Touchとタプティックエンジンがある。これは画面上の例えばアイコンを触るのではなく少し強めに押すとアプリを開くことなくコンテンツをプレビューできる。強めに押したことを検出すると同時にバイブレーションで1回だけ振動して知らせてくれる。このバイブレータに従来のモータを使わずにソレノイドを用いた。