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年中鳴り止まぬメモリ高値"狂騒曲"、関連各社&市場の乗ってる動き

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本年の半導体販売高は、年初の予想が何回か上方修正され、昨年比約20%増とかつての半導体業界高度成長期を彷彿させる奥深い二桁の伸びが見込まれている中、あと1週間を残すところとなっている2017年である。メモリ価格の上昇が伸びの大方を引っ張っており、増勢いまだ収まらず、今年を締めるというよりは現下の状況ができるだけ長く続いてほしいという声が聞こえてくる感じ方である。このような"狂騒曲"が鳴り止まない中で迎える年末年始、関連する市場そして各社のこの高い波に乗り続ける動きを追っている。

≪なお続く感嘆符(!)の伸びっぷり≫

我が国政府が発表する毎月の貿易統計にて、このところ好調な半導体関連が見出しにあらわれている。半導体業界自立化に邁進する中国、そしてメモリで世界を大きくリードする韓国への半導体製造装置・材料の旺盛な輸出の状況がうかがえている。

◇11月輸出、中国向けが米上回る、半導体関連が好調 (12月18日付け 日経 電子版)
→財務省が18日発表した11月の貿易統計速報(通関ベース)。輸出額は前年同月比16.2%増の6兆9204億円と12カ月連続で増加。スマートフォンに使う液晶デバイスなどを製造する半導体製造装置が好調な中国向けが単月として2カ月連続で過去最高を記録し、米国向けを上回った旨。輸出全体に占める中国・アジア向けの存在感が一段と高まっている旨。
中国向け輸出額は1兆3797億円と前年同月を25.1%上回り、過去最高だった前月からさらに伸びた旨。一方、米国向けは1兆3686億円。自動車や関連部品などを牽引役に同13.0%増えたものの、中国やアジアの伸びには及ばなかった旨。
世界的な半導体需要の拡大が背景にある旨。高機能なスマホやあらゆるモノがネットにつながる「IoT」の普及に伴って、中国や韓国などアジアで半導体の生産能力増強や高度化が進んでおり、日本が技術面で競争力を持つ半導体製造装置の需要が高まっていることが好調な輸出の背景にある旨。

半導体製造装置については、以下の通り約30%の世界販売高の伸びという見方であり、来年、2018年はさすがにそこまではと大幅に抑えた読みとならざるを得ないところである。

◇Will Fab Tool Boom Cycle Last?-Analysis: Can record sales of fab gear go on? (12月18日付け Semiconductor Engineering)
→VLSI Researchの評価。今年の半導体装置世界販売高が30.6%増の$70.4 billionに達し、来年、2018年はさらに4.4%増の$73.5 billion。
3D NANDフラッシュメモリデバイス、およびそれほどではないがDRAMsについての需要が、装置購入の伸びを推進していく旨。2018年の当初予測は堅調な伸び、メモリおよび先端10/7-nmでのロジックが需要を焚きつける旨。

感嘆符(!)が見出しにあらわれる半導体製造装置の現況となっている。

◇好調!半導体製造装置、主要7社、今年度設備投資65%増 (12月18日付け 日刊工業)
→日本の半導体製造装置メーカーが設備投資を積極化している旨。東京エレクトロンやSCREENホールディングス(HD)など主要7社の2017年度の設備投資は、2016年度比65%増の1186億円となる見通し。IoT(モノのインターネット)などの普及に伴い、主流の直径300-mmウエハーを加工する装置の需要が増加し、同200-mmウエハー向けの中古装置も枯渇している旨。各社は旺盛な需要に応えようと、生産体制の整備を急ぐ旨。

メモリを代表するDRAMについて見ると、この第四四半期販売高は前年同期比65%増の見通し、毎四半期史上最高を更新にて、その勢いをデータ図面(下記参照)で改めて認識するところである。ただし、そう遠くない今後に落ち込んでいくと警告も付せられている。

◇Q4 DRAM sales to top $21bn says IC Insights-IC Insights: DRAM sales total be $21.1B in Q4 (12月19日付け Electronics Weekly (UK))
→IC Insights発。毎四半期販売高最高を更新している今年のDRAM、第四四半期のDRAM販売高が最高の$21.1 billionとの予測、前年同期の$12.8 billionに対して65%増となる旨。

◇DRAM Growth Projected to be Highest Since '94 (12月20日付け EE Times)
→IC Insights発。急増するDRAM半導体市場は第四四半期での軟化の兆しはなく、今年は非常に大きく74%の伸び、23年ぶりの拡大の勢いにある旨。
当面は力強いものと思われるが、需給の振り子が反対に揺れてDRAMの低迷が遠くない今後に見えてきそう、と警告の旨。年を通して続いた市場での不足の渦中、価格上昇の継続に焚きつけられて、第四四半期のDRAM販売高は前年同期比65%増の見通し、史上最高の$21.1 billionに達する旨。DRAM販売高は、2017年各四半期において新たな史上最高を構築、ここ3年の推移について下記参照:
https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1332760&image_number=1

メモリ各社、それぞれに波に乗る動きが見られており、世界トップのSamsungは、業界初、10-nm級DRAMのはや第2世代量産を打ち上げて、世界最小を実現、他社へのリードを広げている。

◇Samsung mass-produces 2nd generation 10-nano level DRAM-Samsung puts 2nd-gen 10nm DRAM into volume production (12月19日付け Yonhap News Agency (South Korea))
→Samsung Electronicsが、同社第2世代10-nmプロセスを用いるDRAMsの量産を開始、該プロセスで8-gigabit DDR4 DRAMsを生産、第1世代10-nmプロセスより10%上回る高速性能の一方、消費パワーが15%少ない旨。

◇Samsung in Production of Second-gen 10nm DRAM (12月20日付け EE Times)
→韓国・Samsung Electronicsが、第2世代の10nm-class(feature sizesが10-nm〜19-nm) 8-Gb DDR4 DRAMの生産を開始、最大3,600 megabits per second(Mbps)の速度が得られ、extreme ultraviolet(EUV) lithographyの必要なく作られる旨。

◇Samsung now mass producing industry's first 2nd-generation, 10nm class DRAM (12月20日付け ELECTROIQ)

◇South Korea's Samsung Elec develops 'world's smallest' DRAM chip (12月20日付け Reuters)

◇サムスン、最先端DRAM量産、微細化、首位を独走 (12月21日付け 日経)
→韓国・サムスン電子が20日、新型DRAMの量産を始めたと発表、回路線幅は最先端の10-nm級で、微細化により生産効率を3割高めた旨。世界で拡大するデータセンター向け需要などに対応する旨。サムスンは半導体メモリで世界首位。先端製品の量産で先行し、米国や日本メーカーなどのライバルを引き離す旨。量産を始めたのは、サムスンが「第2世代」と呼ぶ10-nm級DRAMで、記憶容量は8ギガビット。

続くSK Hynixでは、メモリ絶好調のこの機にということか、中国でのファウンドリー合弁を設立する噂が流れている。大きく後れている該分野での立て直しを図る動きと思われる。

◇SK hynix rumored to be eying foundry venture with China-Sources: SK Hynix plans a foundry joint venture in China (12月20日付け Yonhap News Agency (South Korea))

◇中国で半導体受託合弁、SKハイニックスが計画 (12月21日付け 日経)
→韓国・SKハイニックスが中国企業と合弁で半導体受託生産会社(ファウンドリー)を中国に設立する計画を進めていることが20日、業界関係者の話でわかった旨。同社のファウンドリー事業は赤字に陥っており、中国でのファブレス(工場なし)メーカーからの受注に活路を見いだす旨。

そして、Micronは11月が新年度第一四半期の締めとなるが、売上げが前年比71%増と大幅な伸び、利益も当然予想を上回って投資家の心配症を和らげている。

◇Micron Calms Fears of Memory Chip Downturn-Chipmaker's strong results and forecast ease fears of a peak at hand-Micron reports higher profit, revenue in quarter (12月19日付け The Wall Street Journal)
→Micron Technologyの11月30日締め第一四半期のnet income/株が$2.45、前年同期は32 cents、売上げが同71%増の$6.8 billion。今四半期については、earningsおよび売上げが前四半期比僅かな増加と見ている旨。

◇Micron's Momentum Continues (12月20日付け EE Times)
→Micron Technologyが、好調を維持しながら新年度のスタート、第一四半期売上げが$6.8 billion、前四半期比11%増、前年同期比71%増。モバイル、サーバおよびSSD製品に向けた需要増加による旨。

◇Micron's strong forecast eases concerns over chip boom peaking (12月20日付け Reuters)
→Micron Technology社の火曜19日の今四半期利益予測が予想を上回り、半導体需要の活況がピークを迎えたという投資家の懸念を和らげて、同社株が時間外取引で6%上昇の旨。

メモリも、かつての高度成長期の先端度、量を競って部品として売り込んだ状況から、時とともにシステム化、複雑高度化が増していって、モジュール化、顧客がすぐ使える形での納入サービス、と高度に密着した対応が求められる状況が聞こえてくるところがある。メモリもそうなったかという感じ方であるが、需給面だけではなく現下の高値の一因かとも思うところである。


≪市場実態PickUp≫

【ルネサスエレ関連】

ルネサスエレクトロニクスが、この2月に買収した米国・Intersilと米国事業を統合、Intersilが年明けからRenesas Electronics Americaとしてスタートする。

◇Intersil to start operations as Renesas Electronics America in January 2018 (12月19日付け ELECTROIQ)

◇ルネサス、米買収社と米国事業を統合 (12月20日付け 日刊工業)
→ルネサスエレクトロニクスが19日、2月に買収した米インターシルと米国事業を統合すると発表、2018年1月1日付でインターシルがルネサスの米子会社を吸収合併し、「ルネサスエレクトロニクス・アメリカ」に商号変更して運営を始める旨。同時に日本や韓国でもそれぞれの販社を統合する旨。統合作業の加速で、買収による早期の相乗効果創出を狙う旨。

ルネサスエレクトロニクスが米国・Airbiquityと連携、over-the-air(OTA) updating capabilitiesを備えたconnected-car製品車載ソリューションを開発している。

◇Renesas and Airbiquity announce auto OTA offering-Auto updating offered by Renesas, Airbiquity (12月20日付け Electronics Weekly (UK))
→Renesas ElectronicsがAirbiquity(Seattle, WA)とコラボ、over-the-air(OTA) updating capabilitiesを備えた安全確実なconnected-car製品車載ソリューションを開発、今後のadvanced driver assistance systems(ADAS), vehicle-to-everything(V2X), および自動運転応用を目指す旨。

【M&A関連】

フランスの宇宙航空&防衛メーカー、Thalesが、オランダのディジタル同定&認証システム・プロバイダー、Gemaltoを買収している。

◇Thales agrees to buy Gemalto in digital security deal worth ~$5.43BN-Thales purchases digital security provider Gemalto (12月17日付け TechCrunch)
→フランスの宇宙航空&防衛メーカー、Thalesが、ディジタルセキュリティソリューション・プロバイダー、Gemaltoの$5.43 billion買収に合意、オランダのGemaltoは、SIMカード並びに銀行および法人セキュリティサービス向けの安全確実な取引ソリューションを生産の旨。

◇Thales to Buy Security Tech Firm Gemalto for $5.7 Billion (12月18日付け EE Times)
→欧州の航空宇宙、輸送および防衛における主要メーカーの1つ、Thales(フランス)が、ディジタル同定&認証システム・プロバイダー、Gemalto(オランダ)をEuro 4.8bn(約$5.66 billion) in cashで買収の旨。Gemaltoは以前、ライバルのフランスメーカー、AtosからのEuro 4.3bnのオファーを拒否していた旨。Gemaltoのディジタルセキュリティportfolio買収により、Thalesは、センサのデータ生成からreal-time decision makingまでIoT, モバイルおよびcloudでの重要ディジタル決定chain全体を安全確実にするend-to-endソリューションが得られる旨。

共同holding会社設立に向けて進んでいる半導体実装&テストの大手、台湾のASEとSPILについて、株式交換の期限日が延期されている。

◇ASE, SPIL reschedule stock swap for October 2018-ASE and SPIL set stock swap for next October (12月18日付け DIGITIMES)
→IC実装&テストサービス・プロバイダー、Advanced Semiconductor Engineering(ASE)およびSiliconware Precision Industries(SPIL)が、両社共同holding会社を2018年5月に設立する計画を中国・Ministry of Commerce傘下のAnti-monopoly Bureauが11月24日に承認ということで、株式交換停止日について2017年12月31日から2018年10月31日に延期決定の旨。

半導体テストのXcerra(米国)が、中国政府系ファンドによる買収を望むとして、慎重な米国政府審査当局の再考を促す動きが見られている。

◇Xcerra to resubmit China-backed deal for U.S. review -Xcerra will refile acquisition deal with CFIUS (12月21日付け Reuters)
→半導体テストのXcerra(米国)が、中国政府に結びつく投資ファンド、Unic Capital Managementによる$580 million買収を進めたいとして、Committee on Foreign Investment in the United States(CFIUS)に対し該買収提案を再検討するよう求める旨。XcerraのCEO、Dave Tacelli氏は従業員に送ったemailの中で、CFIUSは該取引の詳細見直しにさらに時間を要すると説明の旨。

史上最大規模のハイテクM&AといわれるBroadcomがより大きなQualcommに仕掛けた1件、BroadcomがQualcomm boardに入る11人の推薦候補を列挙、来年3月の総会での投票実施に向けて揺さぶりをかけていたが、Qualcommがこれを拒否すると発表、現在の役員陣容で臨むとして、Qualcommの役員会を巡る委任状争奪合戦につながる様相を呈している。

◇Qualcomm board rejects Broadcom, Silver Lake director nominees-Qualcomm says no to Broadcom's board nominees (12月22日付け Reuters)
→Qualcommが、同社役員会に向けてBroadcomおよびSilver Lake Partnersが選ばれるよう指名した11人を正式に拒否、BroadcomのQualcommに対する非友好的買収提案を複雑化、Qualcommの役員会を巡る委任状争奪合戦につながる様相の動きである旨。

◇Qualcomm board unanimously rejects director nominees assembled by Broadcom and Silver Lake partners (12月22日付け ELECTROIQ)

◇Qualcomm Rejects Broadcom's Director Slate, Setting Stage for Boardroom Battle-The chipmaker had nominated a slate of 11 dissident directors to help drive its $130 billion hostile bid to takeover Qualcomm. (12月22日付け TheStreet)

◇クアルコム、ブロードコム「取締役案」拒否、買収交渉の経緯公表 −「株価下落時に連絡」と指摘 (12月23日付け 日経 電子版)
→米半導体大手、クアルコムが22日、同社に敵対的買収を仕掛けた同業ブロードコムによる取締役の選任案を拒否すると発表、スティーブ・モレンコフ最高経営責任者(CEO)など現任取締役の再任を2018年3月の株主総会に諮る旨。クアルコムは米証券取引委員会(SEC)に同日提出した資料で、ブロードコムによる買収提案の経緯を公表。株価下落時を狙った狡猾なものであると指摘し、暗に批判した旨。

【BroadcomのEthernetスイッチ半導体】

上記の通りM&Aの動きが気になるBroadcomであるが、12.8 terabits per secondのバンド幅が得られるEthernetスイッチ半導体のサンプル配布を行っている。TSMCによる製造である。

◇B'com Shifts Switch to 12.8 Tbits/s-Tomahawk-3 packs 256 56G serdes (12月19日付け EE Times)
→Broadcomが、大規模データセンター向け12.8 Tbit/second Ethernetスイッチ半導体、Tomahawk-3をサンプル配布、該半導体は14ヶ月前に発表されたTomahawk-2のaggregateバンド幅の2倍を収容、ともに同じ16FF+ TSMCプロセス製造の旨。

◇Broadcom Ups Its Game in Ethernet Switching-Broadcom samples chip for Ethernet switches (12月19日付け Light Reading)
→Broadcomが、white boxesあるいはhigh-end Ethernetスイッチで用いられるTomahawk 3半導体をサンプル配布、該半導体は、100 gigabits per secondでデータを動かす128のportsがあり、hyperscaleネットワーク需要に対応する12.8 terabits per secondのバンド幅の可能性の旨。

【業界標準化】

Khronos Groupが、神経ネットワークモデル作成に向けてソフトウェアとハードウェアの間のインタフェース標準原案をリリース、業界の反応を問うている。

◇AI Formats May Ease Neural Jitters-Chip vendors' NNEF faces web giants' ONNX (12月20日付け EE Times)
→半導体ベンダーが主のグループが、神経ネットワークモデルを作り出すソフトウェアの枠組みとそれらを動かすハードウェアacceleratorsの間のインタフェースとして作用することを目指す標準原案をリリース、FacebookおよびMicrosoftが今年始めopen-sourceプロジェクトとして始めた別の動きと目標を共有している旨。該Khronos Groupは、Neural Network Exchange Format(NNEF)のpreliminary版について業界フィードバックを求めている旨。

デバイス標準化を引っ張るJEDECに新たな委員会が打ち上げられている。

◇New JEDEC committee for wide bandgap power semiconductors invites industry participation (12月20日付け ELECTROIQ)
→microelectronics業界に向けた標準展開のリーダー、JEDEC Solid State Technology Associationが、最新委員会、JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductorsを打ち上げの旨。

3G普及標準化プロジェクト、3GPP(Third Generation Partnership Project)が、5G cellular radioに向けた最初の標準の終了を発表している。

◇5G Baseband Dialed in at 3GPP-Qualcomm, Ericsson announce lab trials (12月21日付け EE Times)
→第3世代携帯電話(3G)の普及のための標準化プロジェクト、3GPP(Third Generation Partnership Project)がPortugalでの会合から、5G cellular radioに向けた最初の標準の終了を発表の旨。該milestoneは、会合当たり最大3,000の提案を提出する800人ほどのエンジニアを引きつけるプロセスを締め括っている旨。

【IEDM 2017から】

今月始めのInternational Electron Devices Meeting(IEDM:2017年12月2-6日:San Francisco)について、振り返って注目内容が表されている。特に、インテルの10-nmロジックプロセスにおけるコバルト(Co)の使用が取り上げられている。

◇Logic Densities Advance at IEDM 2017 (12月18日付け ELECTROIQ)
→第63回International Electron Devices Meeting(IEDM:2017年12月2-6日:San Francisco)にて、トランジスタ密度scalingへの楽観的な見方がもたらされた旨。Moore's Law終焉を宣言する評論がいくつかある一方、少なくとも密度についてはその証拠はほとんどなかった旨。Intelのengineering managerは、EUV lithography即応のいくぶん楽観的な見方のプレゼンを行ない、さらにcontactsおよびviasから始めてpatterning改善を議論の旨。

◇IEDM 2017: Intel's 10nm Platform Process (12月18日付け ELECTROIQ)
→IEDM 2017にてみんなが期待していたCMOSプラットフォーム論文、IntelのChris Auth氏の“A 10nm High Performance and Low-Power CMOS Technology Featuring 3rd Generation FinFET Transistors, Self-Aligned Quad Patterning, Contact over Active Gate and Cobalt Local Interconnects”について。

◇Companies Ready Cobalt for MOL, Gate Fill (12月21日付け ELECTROIQ)
→International Electron Devices Meeting(IEDM)(2017年12月2-6日:SAN FRANCISCO)にて、middle-of-the-line(MOL)およびtrenchコンタクトに向けたcobalt(Co)があらわれて、Intel, GlobalFoundries, およびApplied Materialsがその特性を如何に最もよく利用するか議論している旨。Intel社は来る10-nmロジックプロセスについて、下層metalのいくつかにcobaltを使用、trenchコンタクトでのcobalt fillおよびcobalt M0 & M1 wiring levelsなどの旨。従来のmetallizationに比べてresistivityおよび信頼性が大きく改善される結果の旨。


≪グローバル雑学王−494≫

アメリカとソ連の「仁義なき冷戦」を見てきた後半は、中国および朝鮮半島の第二次世界大戦後の波乱の経過、動きを、

『国際法で読み解く戦後史の真実−文明の近代、野蛮な現代』
 (倉山  満 著:PHP新書 1116) …2017年10月27日 第1版第1刷

より辿っていく。中国では、国共内戦から国民党が台湾へ逃亡、中華人民共和国と微妙に併存する状況が今に至る一方、朝鮮半島では、朝鮮戦争が勃発、中国が北に、国連軍が南に加わったアコーディオン戦争の様相の結果として、38度線分断が今に続いている。ともに過去の話ではなく、今の問題としてもっと見る目を養わなければと読後の率直な意識となっている。


第3章 国際法を理解できない者 VS 理解して破る者の「仁義なき冷戦」
   …後半

□残虐非道かつ謀略と裏切りに満ちた国共内戦
・1945年10月、国民党と共産党の武力衝突が始まり、内戦状態に
 …国共内戦
 →当初、共産党は苦戦
・ソ連はヤルタ会談で勝手に決めた通りに中国東北部の支配を復活、ソ連と繋がっている共産党を支持する中国人はいなくなった
 →ここでアメリカが、休戦を仲介するという体で介入、1946年1月にジョージ・マーシャル(George Catlett Marshall, Jr.)を派遣
 →毛沢東は1946年6月、アメリカが蒋介石に軍需物資を援助していることについてマーシャルに抗議
 →1946年12月、アメリカ軍の中国からの撤退を表明
・1946年6月に蒋介石は共産党支配地域への全面攻撃を開始
 →1947年までは共産党を圧倒するが、次第に形勢が逆転
 →1948年から1949年にかけて共産党の勢いはもはや覆せぬものに
 →蒋介石と国民党は台湾へ逃亡
・1949年10月、毛沢東は中華民国に代わって北京で中華人民共和国の建国を宣言
 →恐怖という名の支持基盤を背景に、国際社会で大国としてふるまうように

□ソ連共産党の他国支配システムと毛沢東
・まったく国際法には基づかず「国家と国家の関係」ではないソ連の支配システム
 →ソ連共産党の決定が各国の共産党に下達されるという体
・毛沢東は、徹底的に政敵を排除してトップに立ち、その地位を認めさせた
 →スターリンは、結果的に中国を東欧のような衛星国にはできなかった
 →中国は華夷秩序の国、自国でトップに立ってしまえば、他国の人間に頭を下げるという発想がない
・人類の受難に対する同情に欠け、戦争や死といった重大な問題に関してむしろ軽薄な姿勢さえ感じさせる、毛沢東の演説
・毛沢東は執拗にソ連に対して核開発の技術をねだった
 →死去したスターリンの後継、ニキタ・フルシチョフ(Nikita Khrushchev)は拒んだ

□朝鮮南北分断――ウィルソンの「民族自決」はどこへ?
・ソ連共産党の指名と軍の保護を受けて北朝鮮のトップに立った金日成
 →ソ連は北朝鮮のことは衛星国とすることに成功
・北朝鮮の金一族
 →初代の金日成はスターリン主義
 →その後の金正日、いまの金正恩の2人は毛沢東主義
  →国民の生活より核実験の成功を優先
・ウィルソンの提言した「民族自決」はどこへ行ってしまったか?
 →朝鮮に関してだけは、米ソ2国で朝鮮半島を南北に分断
・金日成はソ連の支援を受けながら、1950年6月25日に宣戦布告なしに韓国への侵攻を開始
 →北朝鮮軍は3日後にはソウルを陥落させた
・韓国は朝鮮戦争勃発前に、朝鮮唯一の合法政府であるとして国連に加盟を申請
 →加盟が認められたのは、何と1991年のこと

□朝鮮戦争をめぐる各国の思惑
・アメリカはこの事態を受けて、1950年6月27日、国連安保理で北朝鮮を侵略者と認定、7月には国連軍を結成
 →9月末には国連軍がソウルを奪還
 →10月末までには中朝国境の鴨緑江まで進出
・すると、国連軍が北朝鮮に入ったら介入すると警告していた中国が参戦
 →国連軍を押し戻し、再度、ソウルを攻略
 →その後、国連軍が38度線付近まで押し戻すという、アコーディオン戦争に
・毛沢東は、朝鮮戦争に大規模に介入しながらも、アメリカと本気で戦争をする気はなかった
 →正規軍にはせず、人民義勇軍を募る形
・ソ連もアメリカとの戦争を望んではいない
 →ソ連にしてみれば、金日成がどうしてもやりたいというから、やらせてやっただけ
 →共産主義にかわって、北朝鮮独特の「主体思想」が登場するのは、この時期から

 □日本再軍備のチャンスを棒に振った吉田茂
・アメリカが、1952年、いまの自衛隊の前身に当たる警察予備隊の創設を指示
 →きっかけになったのが、朝鮮戦争
 →当時、「高田事件」ほか全国各地で日本にいる韓国人と朝鮮人の抗争事件が頻発
 →数十人単位の朝鮮人が警察署を襲撃する事件が相次ぎ、朝鮮戦争が始まるとさらに件数も増え、規模も大きくなっていった
・一度は日本からすべての武力を取り上げたアメリカ
 →治安維持と日本の防衛の必要性から警察予備隊の創設を命令した
 →吉田茂首相は拒否
・(著者は、)このときこそが帝国陸海軍を復活させる大チャンスだったと考える

□総力戦思考であるがゆえに足をすくわれたマッカーサー
・朝鮮半島全体を取り返すべきだと考えていた国連司令官のマッカーサー
 →鴨緑江に北朝鮮を追い詰めたところで、毛沢東側が川を渡って逆襲
 →国連軍は38度線の南まで大敗走
・1951年4月、マッカーサーは勝手に台湾の国民党軍を参戦させようと議会に働きかけ
 →重大な軍規違反を犯したとして解任に

□核の先制使用が「国際法違反」にならない場合もある
・まだ軍事行動を起こしていない相手に核兵器をぶち込むのは国際法違反か?
 →侵攻(aggression)…「挑発もされないのに、先制武力攻撃をすること」
 →重要なのは、「どちらが挑発したか」=「戦いの原因をつくったか」
・武力攻撃の際に核を使うかどうかの問題以前に、「やらんかったらやられる」と思われる状況かどうかが重要
 →「核の先制使用は、いかなる場合でも国際法違反となるわけではない」

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