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• SPIマーケットセミナー「世界半導体市場、 2018年後半からの1年を津田編集長と議論しよう」を8月22日13:30から機械振興会館で開催します。奮ってご参加ください

NANDフラッシュの需給状況は、供給が需要を上回り、単価が下がっている。第2四半期（2Q）には、単価は前四半期比10%程度下落した。しかしビット需要が高まり、2Qの販売額は3.5%上昇した、と市場調査会社のTrendForceが発表した。メモリ単価の下落はビット需要を押し上げ販売額はむしろ増加する、という本来のメモリビジネスを取り戻した。 [→続きを読む]

DRAMの生産量がようやく上がってきた。2018年第2四半期における世界のDRAM販売額は前四半期比11.3%増の256億9100万ドルと史上最高を示しながらも、DRAMモジュールの平均単価は同3%しか上がっていない。この売上額は台湾市場調査会社のTrendForceが調べたもの（参考資料1）。 [→続きを読む]

半導体製造装置が一服、という視点で7月末に記事(参考資料1)を執筆したが、8月11日の日本経済新聞は敏感に反応、「半導体関連、宴の終わり？」というタイトルを付けた。先週も、というべきだがAIがあらゆる産業に浸透し始めたことが報道されている。AIが定着するようになるとAIチップも浸透するようになる。巨大な市場になりそうだ。 [→続きを読む]

DRAMの高値が引っ張る熱い活況が2年近く続く半導体業界の世界であるが、変わり目はいつ来るか、米中摩擦のインパクトはどうあらわれるか、といった懸念に見舞われる中、中国、台湾そして韓国、それぞれに内容の異なる目立つ動きが見えている現時点である。最初の本格的な先端メモリ半導体の開発生産計画を国際会議の場で発表した中国、Apple向け出荷などを控えるこの時期にTSMCの生産ラインがcomputerウイルスに汚染された台湾、そしてDRAM絶好調ながら次の新分野開拓に向けて向こう3年の投資計画をサムスンが打ち上げた韓国である。 [→続きを読む]

DRAMは今年も大幅な成長を遂げそうだ。市場調査会社のIC Insightsは（参考資料1）、2018年のDRAM販売額は、前年比39%増の1016億ドル（11兆円）になるという予測を発表した。昨年のDRAMは75%程度の成長だったが、その勢いは収まらないため、当初は24%成長とみていたが、上方修正したことになる。 [→続きを読む]

データセンターのストレージシステムが変わりそうだ。巨大なCPUを集め、巨大なストレージをつなぐことのできるデータセンター向け大規模ストレージシステムを新インターフェース規格NVMe（Non-Volatile Memory Express）でつなぐようなシステムに向け、共有型の高速ストレージへと向かうという。米Pure Storage社が大規模システムに向けた高速ストレージ装置FlashArray IIXファミリを発売する。 [→続きを読む]

半導体の学会として日本で出発、発展してきた国際固体素子材料コンファレンス（SSDM: International Conference on Solid State Devices and Materials）が今年50周年を迎える。現在の半導体産業が隆盛を迎えた背景には、さまざまなエンジニアや研究者の努力がある。今回は9月9日から13日まで東京大学本郷校舎(図1)で開催する。通常の講演やショートコースに加え、特別シンポジウムやインダストリセッションのイベントもある。 [→続きを読む]

米国時間7月31日、Appleを巡る二つのニュースが発表された。市場調査会社のIDCから世界の出荷台数でAppleが2位から3位に落ちた、という負のニュースが出た一方、Appleが時価総額1兆円を突破した、という正のニュースも発表された。どちらも正しい。なぜ評価が分かれるように見えるのか。その大本の原因はメモリバブルにある。 [→続きを読む]

米国Semiconductor Industry Association(SIA)より月次世界半導体販売高が発表され、この6月の$39.3 billion、4-6月の$117.9 billionとともに月次、四半期の最高を更新、本年前半1-6月累計が昨年比20.4%増の飛躍を打ち立てている。この熱い活況がどう推移していくか、今後に引き続き注目である。一方、スマートフォン業界のランキングデータそしてFlash Memory Summit関連の動きについて、市場を牽引する主要プレーヤーの戦略、当面の取り組みが見えてくるところを受け止めている。 [→続きを読む]

7月に最もよく読まれた記事は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東芝メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルを持ち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル方式を採用したもの。平面上で1ビットに相当する領域でありながら、96セル×4ビット/セルの384ビット（48バイト）分の高いメモリ密度を持つ。 [→続きを読む]