2025年2月 5日
|技術分析(半導体製品)
オートモーティブワールド2025では、半導体メーカーが単なるパワー半導体を展示するのではなく、実際のEV(電気自動車)に組み込む装置の能力を示すというブースが目立った。これからのクルマのテクノロジーに使えるレベルの能力を見せつけた。その中から事例としてSiCパワー半導体のスイスのSTMicroelectronics(図1)と、8Gbpsと高速のSerDesを開発したイスラエルのValensを紹介しよう。
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2025年1月16日
|技術分析(半導体製品)
Texas Instruments(TI)が将来のクルマに向け車内用のレーダーセンサチップ「AWRL6844」と、リッチなオーディオを聞くためのチップ「AM275x-Q1」、「AM62D-Q1」、をリリースした。車内用に力を入れるのは、子供の置き去りやシートベルトなどの検出にこれまでのように多数のセンサを使わずに高集積の1チップで処理するなど車内環境を改善するためだ。
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2025年1月14日
|週間ニュース分析
CES 2025におけるNvidia CEO(最高経営責任者)のJensen Huang氏の基調講演で語られた自動運転やロボットなど実際のマシンにAIを移植させるフィジカルAIについて、日本企業(トヨタや日立など)の反応が日本経済新聞や日刊工業新聞で大きく取り上げられている。米国のAIチップの輸出規制を緩和する仕組みも登場した。
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2024年12月25日
|技術分析(製造・検査装置)
アドバンテストは、ダイシングフィルム上でパワー半導体をテストできるシステムを開発した。数百V、数十Aという高電圧・大電流を扱うパワー半導体では、安全性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスター装置の経験豊かなイタリアCREA(Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.)社を2022年8月に買収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導体のテスターに進出した。
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2024年11月20日
|技術分析(半導体製品)
ルネサスエレクトロニクスが第5世代クルマ用3nmプロセスのSoC「R-Car X5H」シリーズ(図1)を発表したが、この狙いが見えてきた。なぜ、クルマ用なのに3nmプロセスが必要か。なぜマイコンではなくSoCか。なぜAIが必要か。なぜチップレットを使うのか。なぜハイエンド製品から開発するのか。一つの答えが、一つの言葉で集約される。それは何か。
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2024年11月 7日
|産業分析
カーエレクトロニクスが転換期に来ている。従来の制御系からIT化・デジタル化が進展してきたことで、「IT立国」台湾の出番がやってきた。10月30日には日本と台湾のコラボレーションを目的とする「日台産業連携架け橋フォーラム in 東京」(図1)が東京のホテルオークラで開催され、台湾が自動車産業へ乗り出してきたことが明白になった。半導体ではnmオーダーのプロセスが求められる。
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2024年7月29日
|週間ニュース分析
メモリビジネスは好調、産業向け非メモリビジネスはまだ不調。このようなビジネス状況が浮かび上がった。2024年第2四半期(4〜6月期)におけるメモリの韓国SK hynixの売上額は、前年同期比(YoY)2.25倍の16兆4230億ウォン(1ウォン=0.11円)と好調だったのに対して、マイコンとSoC、アナログのルネサスエレクトロニクスの売上額は同2.7%減の3588億円となった。
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2024年6月27日
|市場分析
車載向けの半導体市場の拡大が期待されている。2023年の自動車向け半導体売上額ランキングが発表された。これによると1位のInfineon Technologiesから5位ルネサスエレクトロニクスまでは前年と変わらないが、6位以下に多少の変動がある。車載市場は2023年の半導体不況にもかかわらず11.7%成長の670億ドル(約1兆円)に達している。
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2024年5月20日
|週間ニュース分析
クルマが走るコンピュータとなり、半導体の一大消費デバイスへと向かっている中、ホンダはEV(電気自動車)やそのソフトウエアに10兆円を投じ、将来のSDV(ソフトウエア定義のクルマ)実現に向けIBMと次世代半導体などで提携する、と発表、日経などが報じた。スーパーコンピュータのトップランキングが発表され、NvidiaのGPUをフルに採用している姿が浮かび上がった。
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2024年4月18日
|技術分析(半導体製品)
Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2(第2世代)では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。
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