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Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2（第2世代）では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。 [→続きを読む]
電源アダプタの大きさを見れば、電源用ICの実力がわかる。パソコンや電気製品の電源アダプタは最新なものほど小さくなっている。自動車内やデータセンターなどでも電源は、より小さくなってきている。アナログ半導体トップのTexas Instruments社は電源の小型化を目指し、より効率を上げる回路や材料などに力を入れている。このほど2種類の小型電源ICを発表した。 [→続きを読む]
半導体や製造装置、材料など全ての工場でのデジタル化を推進するための統合ソフトウエアSiemens Xceleratorをバッテリ工場に適用した事例をSiemensが明らかにした。かつての3D-CADソフトは今や半導体の世界、特に先端パッケージでは欠かせない存在となりつつある。Siemensだけではなく、仏Dassault Systemesや米PTCなども半導体産業にやってきている。 [→続きを読む]
化合物パワー半導体のGaNデバイスの逆バイアス信頼性評価法（図1）がJEDECで標準化された（参考資料1）。JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）はメモリのピン配置などの標準化をみんなで決めるための世界的な標準化団体。ここで決まった仕様は半導体製品の標準となり、製品の普及だけではなくコストを下げる役割もある。 [→続きを読む]
SiC・GaNのWBG（Wide Band Gap）半導体がもはや単体ではなくシステムボードを競い合う時代に入った。東京ビッグサイトで開かれたオートモーティブワールド2024では、パワー半導体トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコ勝負を見せた。InfineonがGaN応用製品ポートフォリオを示し、STは8インチウェーハSiCデバイスとシステムを見せた。 [→続きを読む]
ロームと東芝デバイス&ストレージ（図1）が申請していたパワー半導体の供給確保計画を経済産業省が認定し、両社に補助金が交付されることが決まった。首相および経産大臣がNvidia CEOのJensen Huang氏と会いGPUの日本への供給確保を要請した。政府はAIチップにも補助金を支援する。政府は半導体など生産量に応じて税優遇する仕組みを提案している。法人税の上限額を20%とする。 [→続きを読む]
ON Semiconductorがonsemiと会社の名称を変更してから3年たった。元CypressのCEOであったHassane El-Khoury氏がトップに就任、onsemiの方向をインテリジェントパワーとインテリジェントセンサに定めた。応用としてはクルマと持続可能社会に注力し、2022年から2027年までの半導体のCAGR（年平均成長率）4%よりも高い10〜12%の成長率を目指す。El-Khoury氏はこのような中期計画を描いている。 [→続きを読む]
在日ドイツ商工会議所が主催し、インフィニオンテクノロジーズジャパンが企画事務局となっている日独オクトーバー技術交流会（通称オクトーバーテック）が開催された。Infineon TechnologiesのCMO（チーフマーケティングオフィサー）であり取締役会メンバーでもあるAndreas Urschitz氏（図1）が基調講演を行い、パワー半導体世界トップの実力の理由がわかった。 [→続きを読む]
STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導体を展示すると共に、AIを使ったモータ制御やIO-Linkインターフェイスを使った産業機器ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導体を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導体単体では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦略だ。 [→続きを読む]
GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの急速充電器などに使われているが、GaN結晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルク結晶も固く、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることが難しかった。ディスコが比較的簡単にスライスできる技術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%増やせることがわかった。 [→続きを読む]
